[發明專利]雙重金屬鑲嵌結構的制造方法

無效

• 申請號: 01129301.2
• 申請日: 2001-06-11
• 公開（公告）號: CN1391270A
• 公開（公告）日: 2003-01-15
• 發明（設計）人: 蔡正原;羅應聰
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/285;H01L21/31
• 代理公司: 北京集佳專利商標事務所
• 代理人: 王學強

1.一種雙重金屬鑲嵌結構的制造方法，該方法包括下列步驟：

提供一基底，在該基底上已形成有一導電區域；

在該基底上形成一帽蓋層；

在該基底上形成一第一介電層；

在該第一介電層上形成一蝕刻終止層；

在該蝕刻終止層上形成一第二介電層；

在該第二介電層中以及第一介電層中形成一雙重金屬鑲嵌開口；

依序在該雙重金屬鑲嵌開口中形成一共形的阻障層以及一金屬層；

其特征在于：該第一介電層的楊氏系數(Young’s?modulus)以及硬度(Hardness)較該第二介電層的楊氏系數以及硬度大、該第一介電層的熱膨脹系數較該第二介電層的熱膨脹系數小，亦即該第一介電層與金屬銅的熱膨脹系數具有較小的差值，且該第二介電層的介電常數較該第一介電層的介電常數小。

2.根據權利要求1所述的雙重金屬鑲嵌結構的制造方法，其特征在于：該第一介電層包括以化學氣相沉積法形成的含甲基的有機硅酸鹽玻璃(Organosilicate)。

3.根據權利要求1所述的雙重金屬鑲嵌結構的制造方法，其特征在于：該第一介電層包括以化學氣相沉積法形成的摻氟的硅玻璃(Fluorinated?Silicate?Glass)。

4.根據權利要求1所述的雙重金屬鑲嵌結構的制造方法，其特征在于：該第二介電層的材質是選自芳香族碳氫化合物(AromaticHydrocarbon)、多孔性芳香族碳氫化合物(Porous?Aromatic?Hydrocarbon)以及多孔性硅玻璃材料(Porous?Silicate?Glass)所組成族群其中之一。

5.根據權利要求4所述的雙重金屬鑲嵌結構的制造方法，其特征在于：該第二介電層形成方法包括旋轉涂布法。

6.一種復合式介電層的制造方法，該方法包括下列步驟：

提供一基底；

在該基底上形成一第一介電層；

在該第一介電層上形成一第二介電層，并由該第一介電層以及該第二介電層組成一復合式介電層；

其特征在于：該第一介電層的楊氏系數以及硬度較該第二介電層的楊氏系數以及硬度大、該第一介電層的熱膨脹系數較該第二介電層的熱膨脹系數小，亦即該第一介電層與金屬銅的熱膨脹系數具有較小的差值，且該第二介電層的介電常數較該第一介電層的介電常數小。

7.根據權利要求6所述的復合式介電層的制造方法，其特征在于：該第一介電層包括以化學氣相沉積法形成的含甲基的有機硅酸鹽玻璃。

8.根據權利要求6所述的復合式介電層的制造方法，其特征在于：該第一介電層包括以化學氣相沉積法形成的摻氟的硅玻璃。

9.根據權利要求6所述的復合式介電層的制造方法，其特征在于：該第二介電層的材質是選自芳香族碳氫化合物、多孔性芳香族碳氫化合物以及多孔性硅玻璃材料所組的族群其中之一。

10.根據權利要求6所述的復合式介電層的制造方法，其特征在于：該第二介電層的形成方法包括旋轉涂布法。