[發明專利]熱板及半導體裝置的制造方法

無效

• 申請號: 01125952.3
• 申請日: 2001-07-10
• 公開（公告）號: CN1335640A
• 公開（公告）日: 2002-02-13
• 發明（設計）人: 堅田富夫;和田純一
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/68;B25B11/00
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 王永剛

1、一種熱板，具備帶有放置半導體襯底的凸狀面的板本體和在上述板本體內形成的發熱電極以及在上述板本體內形成的靜電吸盤電極，其特征在于，半導體襯底被放置在上述板本體的凸狀面上時，半導體襯底和凸狀面之間的距離從上述板本體的中心部分向外周方向變大。

2、如權利要求1所述的熱板，其特征在于，上述靜電吸盤電極從上述板本體的中心部分伸向外周方向并在上述板本體的厚度方向形成凸狀。

3、如權利要求2所述的熱板，其特征在于，上述發熱電極在電極板本體內從上述板本體的中心部分伸向外周方向并在上述板本體的厚度方向形成為同一高度。

4、如權利要求2所述的熱板，其特征在于，上述發熱電極從上述板本體中心部分伸向外周方向并在上述板本體的厚度方向形成凸狀。

5、一種熱板，具備帶有放置半導體襯底的平坦面的板本體、在上述板本體內形成的發熱電極、在上述板本體內從上述板本體的中心部分伸向外周方向并在上述板本體的厚度方向形成凸狀的靜電吸盤電極，其特征在于，半導體襯底被放置在上述板本體的平坦面上時，半導體襯底和靜電吸盤電極之間的距離從上述板本體中心部分向外周方向變大。

6、如權利要求5所述的熱板，其特征在于，上述發熱電極在電極板本體內從上述板本體的中心部分伸向外周方向并在上述板本體的厚度方向形成同一高度。

7、如權利要求5所述的電熱極，其特征在于，上述發熱電極從上述板本體的中心部分伸向外周方向并在上述板本體的厚度方向形成凸狀。

8、一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，該方法具備以下工序：

在具備板本體、在上述板本體中形成的發熱電極、在上述板本體中形成的從中心向外周方向分割成多個靜電吸盤電極部分的靜電吸盤電極的熱板上放置半導體襯底的工序，

通過向上述發熱電極施加電壓，使裝載在上述板本體上的半導體襯底加熱至規定溫度的工序，

在上述多個靜電吸盤電極部分中，從上述熱板本體的上述中心部分的靜電吸盤電極部分向著外周方向的靜電吸盤電極部分依次施加吸持電壓，從上述熱板本體的上述中心部分向著外周方向產生吸持力，通過該吸持力使上述半導體襯底保持在上述熱板上的工序，

在將上述半導體襯底保持在上述熱板本體上的狀態下，處理上述半導體襯底的工序。

9、如權利要求8所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，使施加在上述中心部分的靜電吸盤電極部分的上述吸持電壓和施加在外周方向的靜電吸盤電極部分的上述吸持電壓成為相同的電壓

10、如權利要求8所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，使施加在上述中心部分的靜電吸盤電極部分的上述吸持電壓和施加在外周方向的靜電吸盤電極部分的上述吸持電壓成為不同的電壓。

11、如權利要求8所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，作為施加在上述靜電吸盤電極部分的至少一個上的上述吸持電壓是施加規定值的電壓。

12、如權利要求8所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，使在上述靜電吸盤電極部分的至少一個上所施加的上述吸持電壓邊變化邊施加并上升到規定值。

13、如權利要求8所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，該方法還具備檢測將上述半導體襯底放置到上述熱板本體之前或之后的半導體襯底背面狀態的序、和根據檢測信息控制上述吸持電壓和吸持時間的至少一個的工序。

14、如權利要求8所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，還具備以下工序，即在處理上述半導體襯底工序之后，將與上述吸持電壓相反極性的減持電壓施加到上述多個靜電減持電極部分，產生減持力，通過該減持力使上述半導體襯底從上述熱板離開。

15、如權利要求13所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，還具備檢測將上述半導體襯底放置在熱板本體之后或之后該半導體襯底背面狀態的工序，和根據該檢測信息控制上述減持電壓和減持時間至少一個的工序。

16、如權利要求8所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，上述多個吸盤電極部分由相對于上述熱板本體的上述中心部分配置成并列的螺旋狀的一對電極的多個分割部分構成。