[發(fā)明專(zhuān)利]薄膜晶體管基片及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 01125878.0
• 申請(qǐng)日: 2001-08-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN1374705A
• 公開(kāi)（公告）日: 2002-10-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 佐藤健史;高橋卓也;加藤智也;金子壽輝;池田一
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 株式會(huì)社日立制作所
• 主分類(lèi)號(hào): H01L29/786
• 分類(lèi)號(hào): H01L29/786;G02F1/136
• 代理公司: 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所
• 代理人: 王永剛

1.薄膜晶體管基片，其特征是它是形成具有在透明絕緣性基片上形成由結(jié)晶硅構(gòu)成的半導(dǎo)體膜，通過(guò)柵絕緣膜在半導(dǎo)體膜上形成由金屬膜構(gòu)成的柵極，以及夾著柵極由摻雜半導(dǎo)體膜形成的源極和漏極，并且在柵極一端具有用與源極和漏極相同類(lèi)型的摻雜劑以比源極和漏極低的濃度進(jìn)行摻雜的LDD區(qū)域的共面型薄膜晶體管的薄膜晶體管基片，

上述柵極由用Mo作為主成分，包含重量5％以上不到25％的W的單層金屬膜構(gòu)成。

2.薄膜晶體管基片，它的特征是它是形成具有在透明絕緣性基片上形成由結(jié)晶硅構(gòu)成的半導(dǎo)體膜，通過(guò)柵絕緣膜在半導(dǎo)體膜上形成由金屬膜構(gòu)成的柵極，以及夾著柵極由摻雜半導(dǎo)體膜形成的源極和漏極，并且在柵極一端具有用與源極和漏極相同類(lèi)型的摻雜劑以比源極和漏極低的濃度進(jìn)行摻雜的LDD區(qū)域的共面型薄膜晶體管的薄膜晶體管基片，

上述柵極由用Mo作為主成分，包含重量17％以上22％以下的W的單層金屬膜構(gòu)成。

3.薄膜晶體管基片的制造方法，該方法包括用含有重量60％以上70％以下的磷酸的刻蝕劑液對(duì)柵極進(jìn)行加工的工序，形成權(quán)利要求1或2所述的薄膜晶體管基片。