[發明專利]半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 01125590.0
• 申請日: 2001-08-16
• 公開（公告）號: CN1339824A
• 公開（公告）日: 2002-03-13
• 發明（設計）人: 竹內祐司;荒井史隆
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L23/52
• 分類號: H01L23/52;H01L27/10;H01L21/8239;H01L21/768
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 王永剛

1.一種半導體器件，具備：

半導體襯底；

在上述半導體襯底上的第1區域上，分別隔著線間間距S順序排列由分別具有線寬度L的導電體組成的第1、第2、第3、第4線圖案形成的第1線和間距圖案組；

在上述半導體襯底上的第2區域上，隔著線間間距S以上的刻度順序排列由分別具有線寬度L以上的導電體組成的第5、第6線圖案形成的第2線和間距圖案組；

在上述半導體襯底上的上述第1區域和第2區域之間存在的第3區域上，形成有由連接上述第1線圖案和上述第5線圖案的導電體構成的第7線圖案以及由連接上述第3線圖案和上述第6線圖案的導電體組成的第8線圖案的第3線和間距圖案組，

上述第2線圖案在上述第1區域和第3區域的邊界位置終止，上述第4線圖案在上述第3區域和第2區域的邊界位置終止。

2.權利要求1的半導體器件，

上述第7線圖案形成為使得在第3區域內的長度方向的中途線寬度變化，上述第5線圖案一方比上述第1線圖案一方的線寬度粗，

上述第8線圖案形成為使得在第3區域內的長度方向的中途線寬度變化，上述第6線圖案一方比上述第3線圖案一方的線寬度粗。

3.權利要求1的半導體器件，上述第7線圖案以及第8線圖案的線寬度變化的位置，在從上述第3區域和第1區域的邊界位置開始在長度方向上的上述S以上的位置，并且，在從上述第3區域和第2區域的邊界位置開始在長度方向上的上述L以上的位置。

4.權利要求2的半導體器件，上述第8線圖案和上述第4線圖案的間距，在上述第3區域中是上述S。

5.權利要求1的半導體器件，上述第1區域是形成有存儲單元陣列的區域，上述第2區域是形成有存儲單元外圍電路的區域。

6.一種半導體器件，具備：

半導體襯底；

在上述半導體襯底上的第1區域上，隔著線間間距S順序排列由導電體組成的n(n是偶數)條線圖案形成的第1線和間距圖案組；

在上述半導體襯底上的第2區域上，隔著規定的線間間距重復由電體組成的n/2條的線圖案形成的第2線和間距圖案組；

在上述半導體襯底上的上述第1區域和第2區域之間存在的第3區域上，形成由連接上述第1線和間距圖案組中的每隔1個的n/2條的線圖案和上述第2線和間距圖案組的上述n/2線圖案的n/2條導電體組成的線圖案的第3線和間距圖案組，

未連接上述第1線和間距圖案組中的上述第2線和間距圖案組的n/2條的線圖案，在第1區域和第3區域的邊界位置、上述第3區域和第2區域的邊界位置、第3區域內的某一位置終止。

7.權利要求6所述的半導體器件，上述第3線和間距圖案組的各線圖案形成為在第3區域內的長度方向的中途線寬度變化，上述第2區域一方的線寬度比上述第1區域一方的線寬度粗。

8.權利要求7的半導體器件，

未連接上述第1線和間距圖案組中的上述第2線和間距圖案組的n/2線圖案，按照排列順序終端位置接近上述第2區域，

上述第3線和間距圖案組，按照排列順序上述線寬度變化的位置接近上述第2區域。

9.權利要求5的半導體器件，在上述第3區域中，相互鄰接的線圖案間的間距是上述S。

10.權利要求5的半導體器件，上述第1區域是形成有存儲單元陣列的區域，上述第2區域是形成有存儲單元外圍電路的區域。