[發明專利]化合物半導體開關電路裝置

無效

• 申請號: 01125561.7
• 申請日: 2001-08-13
• 公開（公告）號: CN1348255A
• 公開（公告）日: 2002-05-08
• 發明（設計）人: 淺野哲郎;平井利和
• 申請（專利權）人: 三洋電機株式會社
• 主分類號: H03K17/693
• 分類號: H03K17/693;H01L29/78
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 劉宗杰,葉愷東

1.一種化合物半導體開關電路裝置，在溝道層的表面形成設有源極、柵極和漏極的第1和第2FET，將兩FET的源極或漏極作為公共輸入端子，將兩FET的漏極或源極作為第1和第2輸出端子，對與兩FET的柵極連接的控制端子加控制信號，使某一FET導通，并在上述公共輸入端子和上述第1、第2輸出端子的某一方之間形成信號通路，其特征在于：

在成為上述公共輸入端子、上述第1、第2輸出端子、上述控制端子的焊盤周邊部的下面設置絕緣膜，使其與直接設在半絕緣性襯底上的化合物半導體開關電路裝置的其它電路圖形之間的距離小于20μm。

2.權利要求1記載的化合物半導體開關電路裝置，其特征在于：在具有相鄰的上述焊盤的部分，用上述絕緣膜將相互的周邊部包圍。

3.權利要求1記載的化合物半導體開關電路裝置，其特征在于：使用硅氧化膜作為上述絕緣膜。

4.權利要求1記載的化合物半導體開關電路裝置，其特征在于：上述焊盤的中央部與上述半絕緣性襯底接觸，將焊接線固定在上述焊盤的中央部。

5.權利要求1記載的化合物半導體開關電路裝置，其特征在于：使用GaAs襯底作為上述半絕緣性襯底，在其表面形成上述溝道層。

6.權利要求1記載的化合物半導體開關電路裝置，其特征在于：上述第1和第2FET由與上述溝道層點焊鍵接觸的柵極和與上述溝道層歐姆接觸的源極和漏極形成。