[發明專利]硅基薄膜的形成方法,硅基薄膜和光電元件

無效

• 申請號: 01124925.0
• 申請日: 2001-05-31
• 公開（公告）號: CN1330392A
• 公開（公告）日: 2002-01-09
• 發明（設計）人: 近藤隆治;松田高一;東川誠
• 申請（專利權）人: 佳能株式會社
• 主分類號: H01L21/205
• 分類號: H01L21/205;H01L31/075;H01L31/00
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 段承恩

1、一種形成硅基薄膜的方法，它包括用含有鹵化硅和氫氣的源氣進行高頻等離子體CVD，其中由公式Q＝P₀×P_R/S/d確定的Q值為50或更高，其中，P₀(W)為供給功率，S(cm²)為高頻引入電極的面積，d(cm)為高頻引入電極和基材之間的距離，P_R(mTorr)為壓力。

2、根據權利要求1的方法，其中鹵化硅含有氟和氯中的至少一種元素。

3、根據權利要求1的方法，其中源氣中氫氣的流量不小于鹵化硅的流量。

4、根據權利要求1的方法，其中壓力P_R為50mTorr或更高。

5、一種用含有鹵化硅和氫氣的源氣進行高頻等離子體CVD形成的硅基薄膜，其中高頻等離子體CVD是在下述條件下進行的：由公式Q＝P₀×P_R/S/d確定的Q值為50或更高，其中，P₀(W)為供給功率，S(cm²)為高頻引入電極的面積，d(cm)為高頻引入電極和基材之間的距離，P_R(mTorr)為壓力。

6、根據權利要求5的薄膜，其中鹵化硅含有氟和氯中的至少一種元素。

7、根據權利要求5的薄膜，其中源氣中氫氣的流量不小于鹵化硅的流量。

8、根據權利要求5的薄膜，其中壓力P_R為50mTorr或更高。

9、根據權利要求5的薄膜，其中由結晶成分產生的拉曼散射強度至少為由無定形成分產生的拉曼散射強度的三倍。

10、根據權利要求5的薄膜，其中用X射線或電子束衍射，(220)的衍射強度占總衍射強度的比例為50％或更高。

11、一種光電元件，它包括由至少一個在基材上的pin結組成的半導體層，其中用含有鹵化硅和氫氣的源氣進行高頻等離子體CVD形成的至少一個i型半導體層，其中該元件包括在下述條件下形成的含有結晶相的硅基薄膜：由公式Q＝P₀×P_R/S/d確定的Q值為50或更高，其中，P₀(W)為供給功率，S(cm²)為高頻引入電極的面積，d(cm)為高頻引入電極和基材之間的距離，P_R(mTorr)為壓力。

12、根據權利要求11的光電元件，其中鹵化硅含有氟和氯中的至少一種元素。

13、根據權利要求11的光電元件，其中源氣中氫氣的流量不小于鹵化硅的流量。

14、根據權利要求11的光電元件，其中壓力P_R為50mTorr或更高。

15、根據權利要求11的光電元件，其中由硅基薄膜結晶成分產生的拉曼數射強度至少為由無定形成分產生的拉曼散射強度的三倍。

16、根據權利要求11的光電元件，其中用X射線或電子束衍射硅基薄膜，(220)的衍射強度占總衍射強度的比例為50％或更高。