[發(fā)明專利]基于二極管和陰極導(dǎo)電性以及陰極發(fā)光的數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 01124741.X
• 申請日: 2001-08-01
• 公開（公告）號: CN1367534A
• 公開（公告）日: 2002-09-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: G·A·吉布森
• 申請（專利權(quán)）人: 惠普公司
• 主分類號: H01L27/10
• 分類號: H01L27/10;G11C11/34
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 陳霽,王忠忠

1.一種數(shù)據(jù)存儲裝置，包括：

具有整流結(jié)區(qū)域的存儲介質(zhì)(40)；

在整流結(jié)區(qū)域附近的至少一個納米級的未修改的區(qū)域(140)；

在整流結(jié)區(qū)域附近的至少一個納米級的修改的區(qū)域(130)；以及

位于存儲介質(zhì)(40)的表面附近的至少一個能量發(fā)射探針(105)。

2.如權(quán)利要求1所述的數(shù)據(jù)存儲裝置，其中所述整流結(jié)包括至少一個從由以下元件構(gòu)成的組中選擇的元件：連接有熒光層的光二極管，p-n結(jié)，p⁺-p結(jié)，n⁺-n結(jié)，至少具有兩個電極(125，135)的陰極導(dǎo)電材料，和肖特基勢壘。

3.如權(quán)利要求1所述的數(shù)據(jù)存儲裝置，其中所述修改區(qū)域(130)包括和構(gòu)成未被修改的區(qū)域(140)的材料的物理狀態(tài)不同的材料。

4.如權(quán)利要求1所述的數(shù)據(jù)存儲裝置，其中能量發(fā)射探針(105)還包括能量溝通(channeling)元件(120)。

5.如權(quán)利要求4所述的數(shù)據(jù)存儲裝置，其中能量溝通元件(120)和存儲介質(zhì)(40)直接接觸。

6.如權(quán)利要求4所述的數(shù)據(jù)存儲裝置，其中能量溝通元件(120)包括一個芯部(220)和一個護套(230)。

7.如權(quán)利要求4所述的數(shù)據(jù)存儲裝置，其中能量發(fā)射探針(105)還包括定位元件(200)，其比能量溝通元件(120)進一步向存儲介質(zhì)(40)的表面延伸。

8.一種數(shù)據(jù)存儲的方法，包括：

提供一種包括整流結(jié)區(qū)域和納米級的未修改的區(qū)域(140)的存儲介質(zhì)(40)；

把能量溝通元件(120)設(shè)置在存儲介質(zhì)(40)附近；

把納米級的未修改的區(qū)域(140)轉(zhuǎn)換成納米級的修改的區(qū)域(130)。

9.如權(quán)利要求8所述的方法，其中設(shè)置步驟包括使能量溝通元件(120)和存儲介質(zhì)(40)實現(xiàn)物理接觸的步驟。

10.如權(quán)利要求8所述的方法，其中轉(zhuǎn)換步驟在大于10^-5乇的壓力下進行。