[發(fā)明專利]溫度補(bǔ)償用薄膜電容器

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 01123967.0
• 申請日: 2001-08-09
• 公開（公告）號(hào): CN1340832A
• 公開（公告）日: 2002-03-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 北川均;佐佐木真
• 申請（專利權(quán)）人: 阿爾卑斯電氣株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01G4/33
• 分類號(hào): H01G4/33
• 代理公司: 北京三幸商標(biāo)專利事務(wù)所
• 代理人: 劉激揚(yáng)

1.一種溫度補(bǔ)償用薄膜電容器，其特征在于在一對(duì)電極之間夾裝有兩個(gè)以上的、相對(duì)介電常數(shù)彼此不同的第一電介質(zhì)材料薄膜和第二電介質(zhì)材料薄膜。

2.如權(quán)利要求1所述的溫度補(bǔ)償用薄膜電容器，其特征在于所述第一電介質(zhì)材料薄膜的容量溫度系數(shù)絕對(duì)值為50ppm/℃以下，所述第二電介質(zhì)材料薄膜的容量溫度系數(shù)為負(fù)值且使其絕對(duì)值為500ppm/℃以上。

3.如權(quán)利要求1所述的溫度補(bǔ)償用薄膜電容器，其特征在于所述第二電介質(zhì)材料薄膜由多結(jié)晶體構(gòu)成，并且由構(gòu)成所述第二電介質(zhì)材料薄膜用的若干個(gè)結(jié)晶顆粒構(gòu)成的晶粒邊界，為沿所述第二電介質(zhì)材料薄膜的膜面方向存在有若干個(gè)，沿薄膜厚度方向不存在有10個(gè)以上。

4.如權(quán)利要求1所述的溫度補(bǔ)償用薄膜電容器，其特征在于所述第一電介質(zhì)材料薄膜的相對(duì)介電常數(shù)為10以下，耐電場強(qiáng)度為5MV/cm以上，當(dāng)頻率為1GHz時(shí)的Q值為200以上，介電緩和時(shí)間為1秒以上。

5.如權(quán)利要求1所述的溫度補(bǔ)償用薄膜電容器，其特征在于所述第二電介質(zhì)材料薄膜的相對(duì)介電常數(shù)為150以下，當(dāng)頻率為1GHz時(shí)的Q值為50以上。

6.如權(quán)利要求1所述的溫度補(bǔ)償用薄膜電容器，其特征在于所述第一電介質(zhì)材料薄膜由SiOxNy構(gòu)成。

7.如權(quán)利要求1所述的溫度補(bǔ)償用薄膜電容器，其特征在于所述第二電介質(zhì)材料薄膜由TiOx或CaTiO₃構(gòu)成。

8.如權(quán)利要求1所述的溫度補(bǔ)償用薄膜電容器，其特征在于作為夾裝在所述一對(duì)電極之間的電介質(zhì)材料薄膜，在與各電極相接側(cè)處分別設(shè)置有第一電介質(zhì)材料薄膜，在這兩個(gè)第一電介質(zhì)材料薄膜之間夾裝有第二電介質(zhì)材料薄膜。