[發明專利]薄膜晶體管陣列基板結構

有效

• 申請號: 01123964.6
• 申請日: 2001-08-08
• 公開（公告）號: CN1400670A
• 公開（公告）日: 2003-03-05
• 發明（設計）人: 鐘德鎮;簡廷憲;李得秀
• 申請（專利權）人: 瀚宇彩晶股份有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;G02F1/133;G02F1/136
• 代理公司: 北京集佳專利商標事務所
• 代理人: 王學強

1、一種薄膜晶體管陣列基板結構，至少包括：

一個基板；

復數個像素，每一像素包括一薄膜晶體管、一像素電極、一掃描配線以及一數據配線，其中該薄膜晶體管包括一閘極、一源極以及一汲極，該閘極與該掃描配線連接，該源極與該數據配線連接，而該汲極與該像素電極電性連接，其特征是：

該基板具有一個第一側邊，所述第一像素電極是沿著遠離該第一側邊的方向延伸而部分重疊于一相鄰的掃描配線上；以及

該結構還包括復數個擬電極，這些擬電極會有部分區域重疊于一個最靠近該第一側邊的掃描配線上。

2、如權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板結構，其特征是：這些擬電極與所述像素電極具有一致的圖案。

3、如權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板結構，其特征是：每一擬電極下方還配置有至少一個插塞和一個共享配線，這些擬電極分別通過這些對應的插塞連接到該共享配線上。

4、如權利要求3所述的薄膜晶體管陣列基板結構，其特征是：該共享配線連接于一電壓。

5、如權利要求3所述的薄膜晶體管陣列基板結構，其特征是：這些擬電極與這些像素電極具有一致的圖案化。

6、一種薄膜晶體管陣列基板結構，至少包括：

一個基板；

復數個像素，每一像素包括一薄膜晶體管、一像素電極、一掃描配線以及一數據配線，其中，該薄膜晶體管包括一閘極、一源極以及一汲極，該閘極與該掃描配線連接，該源極與該數據配線連接，而該汲極與該像素電極電性連接，其特征是：

該基板具有一個第一側邊，所述第一像素電極沿著遠離該第一側邊的方向延伸而部分重疊在一個相鄰的掃描配線上；該結構還包括：

復數個擬電極，這些擬電極會有部分區域重疊于一個最靠近該第一側邊的掃描配線；

復數個插塞配置在這些擬電極的下方，每一插塞具有一個第一端與一個第二端，該第一端與該擬電極電性連接；以及

一共享配線，配置在這些擬電極的下方，與所述第二端電性連接。

7、如權利要求6所述的薄膜晶體管陣列基板結構，其特征是：這些擬電極與該像素電極具有一致的圖案。