[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件和封裝方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 01123729.5 | 申請(qǐng)日: | 2001-07-26 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN1334602A | 公開(kāi)(公告)日: | 2002-02-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 市瀨理彥 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 日本電氣株式會(huì)社 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L23/28 | 分類(lèi)號(hào): | H01L23/28;H01L23/48;H01L23/50;H01L21/60 |
| 代理公司: | 中原信達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 | 代理人: | 穆德駿,方挺 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體器件 封裝 方法 | ||
發(fā)明領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件,特別是(但不限于)裸芯及其封裝方法。本申請(qǐng)基于第225982/2000號(hào)日本專利申請(qǐng),該專利申請(qǐng)結(jié)合于此作為參考。
發(fā)明背景
當(dāng)前希望能夠有高質(zhì)量的半導(dǎo)體芯片,特別是高質(zhì)量裸芯(此后稱為HQC)和HQC的高效獲得。以下參考圖1A至1C說(shuō)明獲得HQC的方法。圖1A至1C示出了篩選HQC的慣用方法。如圖1A中所示,首先對(duì)半導(dǎo)體晶片101形式的每個(gè)半導(dǎo)體芯片103進(jìn)行一種預(yù)定的探頭測(cè)試。然后,將半導(dǎo)體晶片101分割成如圖1B中所示的半導(dǎo)體芯片103。在這些半導(dǎo)體芯片103上形成電極104,并且在大多數(shù)情況下,總是安排在半導(dǎo)體芯片103的中心線上,或半導(dǎo)體芯片103的周邊部分。此后,根據(jù)探頭測(cè)試的結(jié)果選擇半導(dǎo)體芯片103,并存儲(chǔ)在老化試驗(yàn)的芯片托盤(pán)或承載插座上。利用一種HQC專用夾具和設(shè)備對(duì)這些芯片進(jìn)行老化試驗(yàn)(此后稱為“BT”)。將通過(guò)試驗(yàn)的芯片從BT芯片托盤(pán)(或承載插座)中取出、封裝,和運(yùn)送。
圖1C是安裝在安裝基底上的芯片的剖視圖,圖1C用于說(shuō)明封裝過(guò)程。因此,將半導(dǎo)體芯片103直接安裝在安裝基底102上,并且將半導(dǎo)體芯片103上的電極104用鍵合引線105連接到安裝基底上的電極106。然后,用一種密封樹(shù)脂密封半導(dǎo)體芯片103,形成樹(shù)脂密封封裝107。
在現(xiàn)有技術(shù)中,當(dāng)篩選未封裝半導(dǎo)體芯片(即裸芯)時(shí),半導(dǎo)體芯片或半導(dǎo)體晶片極易破碎,因?yàn)樗哂泻鼙〉男螤睿⑶乙子诒缓Y選試驗(yàn)使用的插座、探針或測(cè)試器損壞。因此,由于需要極其精細(xì)地進(jìn)行測(cè)試,所以測(cè)試器的說(shuō)明變得十分復(fù)雜,測(cè)試的成本也很高。篩選試驗(yàn)是通過(guò)把探針與半導(dǎo)體芯片103的電極104接觸進(jìn)行的。由于電極104也用作把裸芯安裝在基底102上的鍵合焊盤(pán),所以必須防止電極104的表面被探針的尖端劃傷。如果電極104的表面被劃傷,電極鍵合可能剝落,并且即使半導(dǎo)體芯片103本身是HQC,半導(dǎo)體封裝106也被認(rèn)為是有缺陷的,因而降低了產(chǎn)率。此外,由于半導(dǎo)體芯片的暴露,芯片103和晶片101容易受環(huán)境因素的影響,例如水和沾污,這將導(dǎo)致HQC不適于出售。
當(dāng)對(duì)封裝形式的半導(dǎo)體芯片進(jìn)行篩選試驗(yàn)和BT時(shí),結(jié)合一個(gè)未篩選并且不是HQC的單一半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體封裝的缺陷率并不構(gòu)成大的問(wèn)題。但是,在結(jié)合多個(gè)半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體封裝的多芯片封裝(Multi?Chip?Package)(此后稱為MCP)的場(chǎng)合,組成MCP的所有半導(dǎo)體芯片并不都是HQC。也就是說(shuō),當(dāng)把不知道它們是否是HQC的多個(gè)半導(dǎo)體芯片結(jié)合在一個(gè)單一半導(dǎo)體封裝中時(shí),由于可能具有缺陷的半導(dǎo)體芯片數(shù)量的倍增,缺陷率可能變得很大,從而降低了MCP的產(chǎn)率。
本發(fā)明的目的是要提供一種能夠容易地進(jìn)行HQC狀態(tài)測(cè)試、并且能夠保持其質(zhì)量不受周?chē)h(huán)境的影響的半導(dǎo)體芯片和器件,及其封裝方法。
發(fā)明綜述
本發(fā)明的第一方面提供了一種半導(dǎo)體器件,其包括形成在一個(gè)用于以樹(shù)脂密封半導(dǎo)體芯片的一個(gè)第一樹(shù)脂密封封裝表面上的電極。樹(shù)脂密封封裝包括連接到半導(dǎo)體芯片的電極的安裝區(qū),要安裝一對(duì)象的區(qū),和用于連接測(cè)試設(shè)備的區(qū)。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu),可以實(shí)施利用一個(gè)便宜的測(cè)試插座或類(lèi)似物選擇HQC的步驟,而無(wú)需顧慮打碎半導(dǎo)體芯片。更具體地講,將半導(dǎo)體芯片結(jié)合在一個(gè)樹(shù)脂密封封裝中,并且把形成在樹(shù)脂密封封裝表面的電極每個(gè)都劃分成一個(gè)測(cè)試區(qū)和一個(gè)安裝區(qū),以防止電極在封裝時(shí)被篩選試驗(yàn)劃傷。在把半導(dǎo)體芯片結(jié)合在樹(shù)脂密封封裝中并且在測(cè)試中以單件處理時(shí),可以用與現(xiàn)有技術(shù)相同的方式對(duì)樹(shù)脂密封封裝進(jìn)行BT。即,現(xiàn)在可以容易地以低成本進(jìn)行需要極小心地避免劃傷連接到鍵合引線的電極表面和避免打碎半導(dǎo)體芯片的現(xiàn)有技術(shù)的篩選步驟。此外,由于半導(dǎo)體芯片結(jié)合在樹(shù)脂密封封裝中,水和污物之類(lèi)的周?chē)h(huán)境不容易影響到它,并且現(xiàn)有技術(shù)中很難處理的保管或保存也變得十分容易。
當(dāng)使用內(nèi)置一個(gè)半導(dǎo)體芯片的單樹(shù)脂密封封裝時(shí),要安裝在樹(shù)脂密封封裝上的對(duì)象是一個(gè)安裝基底,或一個(gè)TCP(帶式載體封裝(TapeCarrier?Package))。在每個(gè)結(jié)合一個(gè)半導(dǎo)體芯片的兩個(gè)或更多樹(shù)脂密封封裝(即MCP)的場(chǎng)合,將形成在樹(shù)脂密封封裝表面上的電極安裝在另一個(gè)樹(shù)脂密封封裝上,這另一個(gè)樹(shù)脂密封封裝又安裝在安裝基底或TCP上。用于測(cè)試封裝的設(shè)備可以是,例如,測(cè)試插座、接觸插腳、探針,等等。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于日本電氣株式會(huì)社,未經(jīng)日本電氣株式會(huì)社許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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