[發明專利]接觸構件及其制造方法無效
| 申請號: | 01123371.0 | 申請日: | 2001-07-18 |
| 公開(公告)號: | CN1397805A | 公開(公告)日: | 2003-02-19 |
| 發明(設計)人: | 西奧多·A·庫利;詹姆斯·W·費雷姆 | 申請(專利權)人: | 株式會社鼎新 |
| 主分類號: | G01R1/073 | 分類號: | G01R1/073;G01R31/26;H01R12/02;H01R12/30;H01R13/03 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 | 代理人: | 蹇煒 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 接觸 構件 及其 制造 方法 | ||
1.一種用于與接觸目標建立電連接的接觸構件,包括:
接觸基片;
多個裝在接觸基片上的接觸器,每一接觸器為橋形狀,具有一個水平部分和兩個用于支撐水平部分的豎直部分,以及在兩個豎直部分末端的兩個連接到基片的基座部分,至少兩個基座部分中的一個電連接到設置在接觸基片上的接觸墊上;
附著到每一接觸器的水平部分的接觸突起;
其中,當接觸構件壓到接觸目標時,接觸器的水平部分和豎直部分產生一個接觸力。
2.根據權利要求1所述的接觸構件,其中,接觸器在橫切面上有不對稱的形狀,以引起接觸突起在與施加在接觸構件和接觸目標之間的壓力方向垂直的方向上移動。
3.根據權利要求1所述的接觸構件,其中,接觸器在橫切面上有對稱的形狀,兩個豎直部分具有相同的長度和角度。
4.根據權利要求1所述的接觸構件,其中,一個豎直部分向底部擴大并連著兩個基座部分。
5.根據權利要求1所述的接觸構件,其中,兩個豎直部分都向底部擴大,每一個都連著兩個基座部分。
6.根據權利要求1所述的接觸構件,其中,所述的接觸器是由鎳,鋁,銅,鎳鈀,銠,鎳金,或銥制成的。
7.根據權利要求1所述的接觸構件,其中,所述的每一接觸器的水平部分設有硬金屬制成的兩個或更多個接觸突起。
8.根據權利要求1所述的接觸構件,其中,所述的接觸突起是球形的,由鍍鎢或鍍其他金屬的玻璃球制成的。
9.根據權利要求1所述的接觸構件,其中,所述的接觸突起為球形,似方形,梯形,棱錐形或圓錐形。
10.根據權利要求1所述的接觸構件,其中,所述的接觸突起是由硬金屬包括鎳,鈹,鋁,銅,鎳-鈷-鐵合金,或鐵鎳合金制成的。
11.根據權利要求1所述的接觸構件,其中,所述的接觸突起是由基底金屬如鎳,鈹,鋁,銅,鎳-鈷-鐵合金,或鐵鎳合金制成的,然后再鍍上高導電耐氧化金屬如金,銀,鎳鈀,銠,鎳金或銥。
12.根據權利要求1所述的接觸構件,其中,所述的接觸突起通過軟焊,硬焊,熔焊或使用導電膠固定在接觸器30的上部。
13.一種用于與接觸目標建立電連接的接觸構件,包括:
接觸基片;
多個裝在接觸基片上的接觸器,每一接觸器為橋形狀,具有由一個水平部分和兩個用于支撐水平部分的豎直部分,以及在兩個豎直部分末端的兩個連接到基片的基座部分,兩個基座部分中的一個附著到接觸基片上并且電連接到接觸基片上的接觸墊上,而另一個基座部分可滑動的位于接觸基片的表面上
附著于每一接觸器的水平部分的接觸突起;
其中,當接觸構件壓到接觸目標時,接觸器的水平部分和豎直部分產生一個接觸力,所述的另一個基座部分在所述的接觸基座表面上滑動;由此,利用所述的接觸突起來改善所述接觸目標的表面摩擦。
14.根據權利要求13所述的接觸構件,其中,所述的接觸突起為球形,似方形,梯形,棱錐形或圓錐形。
15.根據權利要求13所述的接觸構件,其中,所述的接觸突起是由硬金屬包括鎳,鈹,鋁,銅,鎳-鈷-鐵合金,或鐵鎳合金制成的。
16.根據權利要求13所述的接觸構件,其中,所述的接觸突起是由基底金屬如鎳,鈹,鋁,銅,鎳-鈷-鐵合金,或鐵鎳合金制成,然后再鍍上高導電耐氧化金屬如金,銀,鎳鈀,銠,鎳金或銥。
17.一種用于與接觸目標建立電連接的接觸構件,包括:
在其表面上有凹坑的介電基片;和
通過微加工方法形成在基片上的橋形接觸器,該接觸器包括具有兩個與介電基片相連的豎直端的水平部分,該水平部分位于介電基片凹坑的上方;
其中,當接觸器壓到接觸目標時,它的水平部分產生一個接觸力,使得水平部分的中間部分進入凹坑而施加所述的接觸力。
18.根據權利要求17所述的接觸構件,其中,所述的接觸器由一水平部分形成,所述水平部分的一端為自由端,而另一端連著豎直部分,所述的豎直部分具有一個與介電基片連接著的基座部分,其連接方式為:所述水平部分的所述自由端定位于所述介電基片的所述凹坑之上。
19.根據權利要求18所述的接觸構件,其中,兩個接觸器的每一個都有一個帶自由端的所述的水平部分,所述的接觸器以這種方式裝在介電基片上,即,所述的兩水平部分的所述自由端定位于所述介電基片的所述凹坑之上。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于株式會社鼎新,未經株式會社鼎新許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/01123371.0/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:高效傳熱管的生產方法
- 下一篇:液態復合微生物菌肥及生產方法





