[發(fā)明專利]磁隨機(jī)存取存儲器中改進(jìn)性能的最佳寫入導(dǎo)體布局

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 01123065.7
• 申請日: 2001-07-20
• 公開（公告）號: CN1338755A
• 公開（公告）日: 2002-03-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: M·巴塔查里亞;T·安東尼
• 申請（專利權(quán)）人: 惠普公司
• 主分類號: G11C11/02
• 分類號: G11C11/02;G11C11/15;G11C7/00
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 吳增勇,王忠忠

1.一種用于磁存儲單元的寫入導(dǎo)體布局結(jié)構(gòu)10，它包括：

具有第一寬度W_C1的第一導(dǎo)體30；

具有第二寬度W_C2的第二導(dǎo)體32；以及

數(shù)據(jù)存儲層20，它設(shè)置在所述第一和第二導(dǎo)體(30，32)之間，并具有第一方向V上的第一層寬度W_D1和第二方向H上的第二層寬度W_D2，所述第一和第二導(dǎo)體(30，32)分別大體上以所述第一和第二方向(V，H)穿過所述數(shù)據(jù)存儲層20，

所述第一寬度W_C1預(yù)選為小于所述第一層寬度W_D1，

所述第二寬度W_C2預(yù)選為小于所述第二層寬度W_D2，

其中，所述第一寬度W_C1相對所述第一層寬度W_D1放置，使所述第一層寬度W_D1覆蓋整個(gè)所述第一寬度W_C1，以及

所述第二寬度W_C2相對所述第二層寬度W_D2放置，使所述第二層寬度W_D2覆蓋整個(gè)所述第二寬度W_C2。

2.根據(jù)權(quán)利要求1的寫入導(dǎo)體布局結(jié)構(gòu)10，其特征在于：所述第一寬度W_C1基于第一處理對準(zhǔn)偏差Δ₁預(yù)選為小于所述第一層寬度W_D1，并且所述第二寬度W_C2基于第二處理對準(zhǔn)偏差Δ₂預(yù)選為小于所述第二層寬度W_D2。

3.根據(jù)權(quán)利要求2的寫入導(dǎo)體布局結(jié)構(gòu)10，其特征在于：所述第一處理對準(zhǔn)偏差Δ₁和所述第二處理對準(zhǔn)偏差Δ₂的范圍是約0.01微米至約0.08微米。

4.根據(jù)權(quán)利要求2的寫入導(dǎo)體布局結(jié)構(gòu)10，其特征在于所述第一處理對準(zhǔn)偏差Δ₁和所述第二處理對準(zhǔn)偏差Δ₂彼此相等。

5.根據(jù)權(quán)利要求2的寫入導(dǎo)體布局結(jié)構(gòu)10，其特征在于所述第一和第二處理對準(zhǔn)偏差(Δ₁，Δ₂)由光刻處理(lithographic?process)的對準(zhǔn)容差來確定。

6.根據(jù)權(quán)利要求1的寫入導(dǎo)體布局結(jié)構(gòu)10，其特征在于：所述第一和第二方向(V，H)大體上相互垂直，使所述第一導(dǎo)體30和所述第二導(dǎo)體32大體上相互垂直地穿過所述數(shù)據(jù)存儲層20。

7.根據(jù)權(quán)利要求1的寫入導(dǎo)體布局結(jié)構(gòu)10，其特征在于：所選的所述第一方向V或所述第二方向H與所述存儲層20的易磁化軸E是共線的。

8.一種用于磁存儲單元的寫入導(dǎo)體布局結(jié)構(gòu)10，它包括：

具有第一寬度W_C1的第一導(dǎo)體30；

具有第二寬度W_C2的第二導(dǎo)體32；以及

數(shù)據(jù)存儲層20，它設(shè)置在所述第一和第二導(dǎo)體(30，32)之間，并在第一方向V上具有第一層寬度W_D1以及在第二方向H上具有第二層寬度W_D2，所述第一和第二導(dǎo)體(30，32)分別大體上以所述第一和第二方向(V，H)穿過所述數(shù)據(jù)存儲層20，

所述第一寬度W_C1預(yù)選為小于所述第一層寬度W_D1，

所述第二寬度W_C2大體上等于所述第二層寬度W_D2，以及

其中，所述第一寬度W_C1相對所述第一層寬度W_D1放置，使所述第一層寬度W_D1覆蓋整個(gè)所述第一寬度W_C1。

9.根據(jù)權(quán)利要求8的寫入導(dǎo)體布局結(jié)構(gòu)10，其特征在于：所述第一寬度W_C1基于第一處理對準(zhǔn)偏差Δ₁被預(yù)選為小于所述第一層寬度W_D1。

10.根據(jù)權(quán)利要求9的寫入導(dǎo)體布局結(jié)構(gòu)10，其特征在于：所述第一處理對準(zhǔn)偏差Δ₁的范圍約為0.01微米至約0.08微米。