[發明專利]化學機械拋光用淤漿及其形成方法和半導體器件制造方法

無效

• 申請號: 01122494.0
• 申請日: 2001-07-13
• 公開（公告）號: CN1333319A
• 公開（公告）日: 2002-01-30
• 發明（設計）人: 松井之輝;南幅學;矢野博之;福島大
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: C09K3/14
• 分類號: C09K3/14;C08J5/14;H01L21/302
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 王永剛

1.CMP用淤漿，它包括：液體；包含于此液體中的多種研磨粒子，此研磨粒子包含至少一種以上的有機粒子和至少一種以上的無機粒子，而所述有機粒子與無機粒子通過熱結合而一體化。

2.權利要求1所述的CMP用淤漿，其中所述研磨粒子包含一種有機粒子和多種無機粒子。

3.權利要求1所述的CMP用淤漿，其中所述無機粒子具有氧化作用。

4.權利要求3所述的CMP用淤漿，其中所述無機粒子包括二氧化錳與二氧化鈰二者中的至少一種。

5.權利要求1所述的CMP用淤漿，其中還含有氧化劑，而且所述無機粒子具有促進前述氧化劑分解的催化劑作用。

6.權利要求5所述的CMP用淤漿，其中所述無機粒子包含有鐵、銀、釕與鈦之中的至少一種。

7.權利要求5所述的CMP用淤漿，其中包含有權利要求3所述的無機粒子和權利要求5所述的無機粒子。

8.權利要求7所述的CMP用淤漿，其中包含有權利要求4所述的無機粒子和權利要求6所述的無機粒子。

9.權利要求1所述的CMP用淤漿，其中所述有機粒子所用材料包含從丙烯酸樹脂、酚醛樹脂、尿素樹脂、密胺樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚縮醛樹脂與聚碳酸酯樹脂組成的材料組中所選出的一種。

10.權利要求1所述的CMP用淤漿，其中所述無機粒子與有機粒子的一次粒子粒度為5～1000nm。

11.CMP用淤漿的形成方法，它包括：將多種有機粒子與多種無機粒子于粉體狀態下混合，而且利用機械融合現象將上述多種有機粒子中的至少一種以上與上述多種有機粒子中的至少一種以上一體化，形成多種研磨粒子；將這多種研磨粒子添加到液體中。

12.權利要求11所述CMP用淤漿的形成方法，其中在形成所述多種研磨粒子后，將這多種研磨粒子與前述多種有機粒子于粉體狀態下混合，而且利用機械融合現象，將這多種研磨粒子的至少一種以上與前述多種有機粒子的至少一種以上一體化得到的多種研磨粒子加到上述液體中。

13.權利要求11所述CMP用淤漿的形成方法，其中在上述溶液中還添加氧化劑。

14.權利要求13所述CMP用淤漿的形成方法，上述氧化劑是過氧化氫、過氧化硫酸銨、過硫酸銨、磷酸、硝酸與硝酸銨中的至少一種。

15.半導體器件的制造方法，它包括：于襯底上形成導電膜；由CMP用淤漿研磨所述導電膜，而此CMP用淤漿包括：液體；包含于此液體中的多種研磨粒子，此研磨粒子包含至少一種以上的有機粒子和至少一種以上的無機粒子，而所述有機粒子與無機粒子通過熱結合而一體化。

16.權利要求15所述的半導體器件的制造方法，其中所述襯底包括半導過濾器和于此半導過濾器上形成的在表面上形成有配線溝的絕緣膜，而為了埋入上述配線溝于所述絕緣膜上形成前述導電膜，同時為了除去此配線溝外的所述導電膜而研磨所述導電膜。

17.權利要求16所述的半導體器件的制造方法，其中所述導電膜是由下述材料中的至少一種構成：從Cu、Al、W、Ti、Mo、Nb、Ta、Ag、V、Ru與Pt所組成的元素組中選擇的金屬；從這組元素中選取的至少一種元素為主要成分的合金；以上述元素為主要成份的氮化物；以上述元素為主要成份的硼化物；以上述元素為主要成分的氧化物以及以上述元素為主要成份的混合物。

18.權利要求15所述的半導體器件的制造方法，其中所述研磨粒子包含一種有機粒子和多種無機粒子。

19.權利要求15所述的半導體器件的制造方法，其中所述無機粒子具有氧化作用。

20.權利要求15所述的半導體器件的制造方法，其中所述無機粒子包括二氧化錳與二氧化鈰兩者中的至少一種。