[發(fā)明專利]連接構(gòu)造體有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 01122152.6 | 申請日： | 2001-05-30 |
| 公開（公告）號： | CN1326220A | 公開（公告）日： | 2001-12-12 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 板垣政光;藤平博之 | 申請（專利權(quán)）人： | 索尼化學(xué)株式會社 |
| 主分類號： | H01L21/60 | 分類號： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 羅朋,梁永 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 連接 構(gòu)造 | ||
【權(quán)利要求書】：
1、一種連接構(gòu)造體，是使用絕緣性粘合劑中分散有導(dǎo)電性粒子的各向異性導(dǎo)電粘合劑連接基板上的外涂層上所形成的電極和其它電極端子的連接構(gòu)造體，其特征在于導(dǎo)電性粒子對外涂層的切入角是135°以上。
2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的連接構(gòu)造體，其特征在于導(dǎo)電性粒子對外涂層的切入角是135°～180°。
3、根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的連接構(gòu)造體，其特征在于導(dǎo)電性粒子的粒徑是外涂層的層厚的5倍以上。
4、根據(jù)權(quán)利要求1～3任一項所述的連接構(gòu)造體，其特征在于外涂層上的電極是由ITO構(gòu)成的。
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- 同類專利
- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
