[發明專利]層狀二硅酸鈉及制備無效
| 申請號： | 01121390.6 | 申請日： | 2001-06-11 |
| 公開（公告）號： | CN1101336C | 公開（公告）日： | 2003-02-12 |
| 發明（設計）人： | 董晉湘;徐紅;杜志剛;李晉平;荊學珍 | 申請（專利權）人： | 太原理工大學 |
| 主分類號： | C01B33/32 | 分類號： | C01B33/32;C11D3/08 |
| 代理公司： | 太原市科瑞達專利代理有限公司 | 代理人： | 龐建英 |
| 地址： | 030024 *** | 國省代碼： | 山西;14 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 層狀 硅酸鈉 制備 | ||
【權利要求書】：
1、層狀二硅酸鈉其特征在于是一種具有排列規則的二維層狀晶體結構的，在層狀硅酸鈉的晶體結構中，兩個SiO4四面體共用一個氧原子彼此互相連接形成帶負電荷的層，層與層之間由相互作用力較弱的陽離子連接，δ-層狀二硅酸鈉具有大的孔口尺寸，接近于圓形。
2、按照權利要求1所述的層狀二硅酸鈉的制備，其特征在于，將在δ-層狀二硅酸鈉的合成中引入雜原子，其雜原子化合物為雜原子的鹵代物、氧化物和硫酸鹽，指LiCl，KCl，MgCl2，CaCl2，FeCl3，ZrOCl2，AlCl3，NaAlO2，CaO，MgO，LiOH，K2O，K2SO4，MgSO4，Al2(SO4)3，
其含雜原子的δ-層狀二硅酸鈉的合成是按下列步驟進行的：
首先將鎳坩堝放在稀堿溶液中，在100℃下浸泡24小時，取出、洗凈、烘干，然后向鎳坩堝中加入一定量含雜原子的化合物，其含量占固體產物總量的0.1％-5％，接著加入液體水玻璃10ml攪拌均勻，進入馬弗爐焙燒，焙燒溫度在550-780℃，焙燒時間在10min-180min。
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