[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其制造方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 01121255.1
• 申請(qǐng)日: 2001-04-21
• 公開（公告）號(hào): CN1322012A
• 公開（公告）日: 2001-11-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 山內(nèi)博史;佐藤雅幸
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 夏普公司
• 主分類號(hào): H01L23/52
• 分類號(hào): H01L23/52;H01L21/768
• 代理公司: 中國(guó)專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 張志醒

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：在半導(dǎo)體襯底上依次形成的第一絕緣膜、布線層和第二絕緣膜，第二絕緣膜配置有到達(dá)布線層的一個(gè)或多個(gè)通孔，其中布線層在除了形成通孔的區(qū)域之外的區(qū)域通過第一絕緣膜和第二絕緣膜電絕緣，到達(dá)布線層的通孔的總底面積與布線層的頂表面積之比為1∶300-10000。

2.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其中通孔的高寬比為4或更小。

3.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其中每個(gè)通孔的底面積是0.1-1.0μm²。

4.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其中布線層是電容器的上電極、非易失晶體管的虛設(shè)電極或浮置柵極。

5.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其中在第二絕緣膜的通孔中形成接觸腳，以便連接布線層，在接觸腳和第二絕緣膜上形成上布線層或上電極，以連接接觸腳。

6.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，還包括與布線層同時(shí)形成的導(dǎo)電層，其中布線層與導(dǎo)電層電絕緣。

7.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，還包括先于布線層形成的導(dǎo)電層，其中布線層與導(dǎo)電層電絕緣。

8.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括：

在半導(dǎo)體襯底上形成第一絕緣膜；

在第一絕緣膜上形成電浮置的布線層；

在布線層上形成第二絕緣膜；和

在第二絕緣膜中形成到達(dá)布線層的一個(gè)或多個(gè)通孔，使通孔的總底面積與布線層的頂表面積之比為1∶300-10000。

9.根據(jù)權(quán)利要求8的方法，其中確定每個(gè)通孔的底面積或第二絕緣膜的厚度，使通孔的高寬比為4或更小。

10.根據(jù)權(quán)利要求8的方法，其中使形成的每個(gè)通孔的底面積為0.1-1.0μm²。

11.根據(jù)權(quán)利要求8的方法，其中在布線層與第二絕緣膜的蝕刻比大于1的情況下，通過干蝕在第二絕緣膜中形成通孔。

12.根據(jù)權(quán)利要求11的方法，其中利用C₂F₆、C₄F₈和Ar氣體作為蝕刻劑，通過感應(yīng)耦合等離子蝕刻法進(jìn)行干蝕。

13.根據(jù)權(quán)利要求11的方法，其中利用C₄F₈、CO、Ar和O₂氣體作為蝕刻劑，通過磁場(chǎng)激勵(lì)反應(yīng)離子蝕刻法進(jìn)行干蝕。