[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其制造方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 01121255.1 | 申請日： | 2001-04-21 |
| 公開（公告）號： | CN1322012A | 公開（公告）日： | 2001-11-14 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 山內(nèi)博史;佐藤雅幸 | 申請（專利權(quán)）人： | 夏普公司 |
| 主分類號： | H01L23/52 | 分類號： | H01L23/52;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 張志醒 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體器件 及其 制造 方法 | ||
1.一種半導(dǎo)體器件，包括：在半導(dǎo)體襯底上依次形成的第一絕緣膜、布線層和第二絕緣膜，第二絕緣膜配置有到達布線層的一個或多個通孔，其中布線層在除了形成通孔的區(qū)域之外的區(qū)域通過第一絕緣膜和第二絕緣膜電絕緣，到達布線層的通孔的總底面積與布線層的頂表面積之比為1∶300-10000。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其中通孔的高寬比為4或更小。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其中每個通孔的底面積是0.1-1.0μm2。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其中布線層是電容器的上電極、非易失晶體管的虛設(shè)電極或浮置柵極。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其中在第二絕緣膜的通孔中形成接觸腳，以便連接布線層，在接觸腳和第二絕緣膜上形成上布線層或上電極，以連接接觸腳。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，還包括與布線層同時形成的導(dǎo)電層，其中布線層與導(dǎo)電層電絕緣。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，還包括先于布線層形成的導(dǎo)電層，其中布線層與導(dǎo)電層電絕緣。
8.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括：
在半導(dǎo)體襯底上形成第一絕緣膜；
在第一絕緣膜上形成電浮置的布線層；
在布線層上形成第二絕緣膜；和
在第二絕緣膜中形成到達布線層的一個或多個通孔，使通孔的總底面積與布線層的頂表面積之比為1∶300-10000。
9.根據(jù)權(quán)利要求8的方法，其中確定每個通孔的底面積或第二絕緣膜的厚度，使通孔的高寬比為4或更小。
10.根據(jù)權(quán)利要求8的方法，其中使形成的每個通孔的底面積為0.1-1.0μm2。
11.根據(jù)權(quán)利要求8的方法，其中在布線層與第二絕緣膜的蝕刻比大于1的情況下，通過干蝕在第二絕緣膜中形成通孔。
12.根據(jù)權(quán)利要求11的方法，其中利用C2F6、C4F8和Ar氣體作為蝕刻劑，通過感應(yīng)耦合等離子蝕刻法進行干蝕。
13.根據(jù)權(quán)利要求11的方法，其中利用C4F8、CO、Ar和O2氣體作為蝕刻劑，通過磁場激勵反應(yīng)離子蝕刻法進行干蝕。
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