[發明專利]含有細晶體鈾箔的制造方法及其制造裝置

無效

• 申請號: 01120891.0
• 申請日: 2001-06-07
• 公開（公告）號: CN1350896A
• 公開（公告）日: 2002-05-29
• 發明（設計）人: 金昌圭;金淇煥;吳石鎮;張世正;金應秀
• 申請（專利權）人: 韓國原子力研究所;韓國電力公司
• 主分類號: B22D11/06
• 分類號: B22D11/06;B22D21/00
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 鐘守期

1.一種直接使用冷卻輥快速固化鈾或鈾合金熔體制造含有細的無規取向晶體的鈾箔的制造方法，其中所述鈾合金是U-(A)Q-(B)X-(C)Y，其中Q選自Al、Fe、Ni、Si、Cr和Zr元素，X選自Al、Fe、Ni、Si、Cr和Zr元素，和Y選自Al、Fe、Ni、Si、Cr和Zr元素，并且Q≠X≠Y，(A)≤1％(重量)，(B)≤1％(重量)，(C)≤1％(重量)。

2.用于通過使用冷卻輥快速固化鈾或鈾合金熔體制造含有細的無規取向晶體的鈾箔的裝置，包括：

裝配有開槽(1)的耐火材料槽的耐熱坩堝(2)，

連接到高頻發生裝置(沒顯示)用以加熱坩堝(2)的感應線圈(3)，

用以在室(4)內獲得適合真空度的真空泵系統(5)，

安裝在室(4)內的輥筒(6)和側擋板(沒顯示)，

用以將氣體進料至室(4)內的進氣閥(7)，和

用來收集所制造的箔的回收箱(8)。