[發明專利]紅外線檢測元件及溫度測定裝置

無效

• 申請號: 01120877.5
• 申請日: 2001-06-05
• 公開（公告）號: CN1328251A
• 公開（公告）日: 2001-12-26
• 發明（設計）人: 佐藤茂美;巖本修;鹽原康弘;織田裕二
• 申請（專利權）人: 精工愛普生株式會社
• 主分類號: G01J5/00
• 分類號: G01J5/00;G01J5/12
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 劉宗杰,葉愷東

1.一種紅外線檢測元件，具有：基座，備有薄膜部及配置在該薄膜部周圍的厚壁部；熱電堆，將形成為使冷接點位于上述厚壁部的上部并使熱接點位于上述薄膜部的上部的多個熱電偶串聯連接；及基準溫度檢測裝置，備有與上述厚壁部接觸的熱敏部。

2.根據權利要求1所述的紅外線檢測元件，其特征在于：上述基座至少備有形成上述厚壁部的基部的半導體基板，上述熱敏部，是在上述半導體基板上形成的PN結。

3.根據權利要求2所述的紅外線檢測元件，其特征在于：由上述PN結形成二極管。

4.根據權利要求2所述的紅外線檢測元件，其特征在于：備有多個上述PN結。

5.根據權利要求2所述的紅外線檢測元件，其特征在于：將上述多個PN結并列配置。

6.根據權利要求5所述的紅外線檢測元件，其特征在于：共用上述多個PN結的一個導電體層。

7.根據權利要求2所述的紅外線檢測元件，其特征在于：上述PN結在上述冷接點的下方形成。

8.根據權利要求2所述的紅外線檢測元件，其特征在于：上述PN結沿著上述薄膜部的周圍形成。

9.根據權利要求8所述的紅外線檢測元件，其特征在于：在上述PN結的第1導電體層和第2導電體層的各上表面上，形成沿著該第1和第2導電體層延伸的電極。

10.根據權利要求1所述的紅外線檢測元件，其特征在于：具有與上述基座的厚壁部的上表面結合的第2基板，在上述基座的與上述第2基板的結合部和/或上述第2基板的與上述基座的結合部上，設置上述熱敏部。

11.根據權利要求10所述的紅外線檢測元件，其特征在于：上述第2基板是半導體基板，上述熱敏部，是在上述第2基板的結合部形成的PN結。

12.根據權利要求11所述的紅外線檢測元件，其特征在于：備有多個上述PN結。

13.根據權利要求11所述的紅外線檢測元件，其特征在于：上述多個PN結并列配置。

14.根據權利要求13所述的紅外線檢測元件，其特征在于：共用上述多個PN結的一個導電體層。

15.根據權利要求11所述的紅外線檢測元件，其特征在于：上述PN結配置在上述冷接點的上方。

16.根據權利要求11所述的紅外線檢測元件，其特征在于：上述PN結沿著上述結合部形成。

17.根據權利要求16所述的紅外線檢測元件，其特征在于：形成沿著上述PN結的這些第1導電體層和第2導電體層延伸的電極，使所述PN結與該第1和第2導電體層的各上表面接觸。

18.根據權利要求1所述的紅外線檢測元件，其特征在于：在上述薄膜部上，還具有可以將紅外線會聚在該薄膜部上的紅外線透鏡。

19.根據權利要求18所述的紅外線檢測元件，其特征在于：在上述薄膜部上，具有層疊的紅外線吸收體，使其至少覆蓋上述熱接點或其附近，上述紅外線透鏡聚光于上述紅外線吸收體。

20.根據權利要求18所述的紅外線檢測元件，其特征在于：上述紅外線透鏡與上述基座的厚壁部結合。

21.根據權利要求20所述的紅外線檢測元件，其特征在于：在上述基座的與上述紅外線透鏡的結合部和/或上述紅外線透鏡的與上述基座的結合部上，設置上述熱敏部。

22.根據權利要求20所述的紅外線檢測元件，其特征在于：上述紅外線透鏡，通過對半導體基板進行蝕刻形成，上述熱敏部，是在上述紅外線透鏡的結合部形成的PN結。

23.根據權利要求22所述的紅外線檢測元件，其特征在于：備有多個上述PN結。

24.根據權利要求23所述的紅外線檢測元件，其特征在于：上述多個PN結并列配置。

25.根據權利要求24所述的紅外線檢測元件，其特征在于：共用上述多個PN結的一個導電體層。

26.根據權利要求22所述的紅外線檢測元件，其特征在于：上述PN結配置在上述冷接點的上方。