[發明專利]電磁波吸收體、其制造方法和使用該電磁波吸收體的器具

無效

• 申請號: 01120722.1
• 申請日: 2001-04-10
• 公開（公告）號: CN1336793A
• 公開（公告）日: 2002-02-20
• 發明（設計）人: 藤枝正;池田伸三;小川宰;阿部輝宜;青野泰久
• 申請（專利權）人: 株式會社日立制作所
• 主分類號: H05K9/00
• 分類號: H05K9/00;H01F10/14;C23C14/06
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 王以平

1.一種電磁波吸收體，包括粒徑小于10μm的復合磁性顆粒，磁性金屬顆粒和陶瓷在該復合磁性顆粒中成一體。

2.一種包括復合磁性顆粒的電磁波吸收體，該復合磁性顆粒中通過用所述陶瓷包封所述大量磁性金屬細粒將大量磁性金屬細粒和陶瓷成一體。

3.一種包括復合磁性顆粒的電磁波吸收體，該復合磁性顆粒中通過將陶瓷粒包埋于磁性金屬顆粒中使磁性金屬顆粒和大量陶瓷粒成一體。

4.根據權利要求1-3中任一項所述的電磁波吸收體，其中所述磁性金屬是至少一種選自鐵、鈷和鎳的金屬或合金，所述陶瓷是至少一種選自包括鐵、鋁、硅、鈦、鋇、錳、鋅、鎂、鈷和鎳的氧化物、氮化物和碳化物的陶瓷。

5.根據權利要求1-4中任一項所述的電磁波吸收體，其中磁性金屬顆粒和陶瓷是通過將陶瓷粘合到復合磁性顆粒表面上而成一體。

6.根據權利要求1-5中任一項所述的電磁波吸收體，其中所述復合磁性顆粒的平均晶粒粒徑小于50nm。

7.一種電磁波吸收體，其中權利要求1-6任一項所述復合磁性顆粒被分散于電阻率高于該復合磁性顆粒的物質中。

8.根據權利要求7所述的電磁波吸收體，其中所述高電阻率物質是樹脂、絕緣聚合物漆和陶瓷燒結材料中的任何一種。

9.一種電磁波吸收體的制造方法，其中的復合磁性顆粒是通過機械合金化方法由磁性金屬粉和陶瓷粉形成的，磁性金屬顆粒和陶瓷在其中成一體。

10.一種電磁波吸收體的制造方法，其中的復合磁性顆粒是通過使用金屬球或陶瓷球的機械合金化方法，由含有磁性金屬粉和陶瓷粉的復合粉形成的，磁性金屬顆粒和陶瓷在其中混合并成一體，所述球的尺寸大于金屬粉的粒徑，所述球的體積量大于所述復合粉的體積量。

11.一種包括復合磁性顆粒的復合件，磁性金屬顆粒和陶瓷在復合磁性顆粒中成一體。

12.一種復合件，是通過將復合磁性顆粒和電阻率高于該復合磁性顆粒的物質復合到一起形成的，在復合磁性顆粒中有磁性金屬顆粒和陶瓷成一體。

13.一種電磁波吸收體，是通過將復合磁性顆粒和至少一種選自電阻率高于該復合磁性顆粒的樹脂、氧化鋁和氧化硅的材料復合到一起形成的，在復合磁性顆粒中有磁性金屬顆粒和陶瓷成一體。

14.根據權利要求1-8，12和13任一項所述的電磁波吸收體，其中所述陶瓷與復合磁性顆粒的體積比是10-75％，并且所述陶瓷是包埋于所述磁性金屬顆粒中的。

15.根據權利要求1-8和12-14任一項所述的電磁波吸收體，其中所述復合磁性顆粒的平均晶粒粒徑小于50nm。

16.根據權利要求1-8和12-15任一項所述的電磁波吸收體，其中所述復合磁性顆粒的表面上涂覆了電阻率高于所述復合磁性顆粒的物質。

17.根據權利要求1-8和12-16任一項所述的電磁波吸收體，其中所述復合磁性顆粒的長寬比大于2，并且是扁圓形的。

18.根據權利要求1-8和12-17任一項所述的電磁波吸收體，其中所述復合磁性顆粒是均勻分散于所述具有高電阻率的物質中的。

19.根據權利要求1-8和12-18任一項所述的電磁波吸收體，其中所述扁圓形復合磁性顆粒沿一個方向于所述高電阻率的物質中定向。

20.根據權利要求12-19任一項所述的電磁波吸收體，其中所述具有高電阻率的物質是聚合物或陶瓷燒結材料。

21.一種半導體器件，其中安裝在印刷電路板上的半導體元件被含電磁波吸收體的樹脂密封，其中在所述元件一面上的所述樹脂被不含所述電磁波吸收體的樹脂覆蓋。

22.一種包括位于絕緣板上電路的印刷電路板，所述電路被絕緣層覆蓋，其中在所述絕緣板上與形成有所述電路的表面相反的表面上和所述絕緣層上形成了包括電磁波吸收體的層。

23.一種半導體器件，其中安裝在印刷電路板上的半導體元件被金屬殼覆蓋，該金屬殼的內周表面是由電磁波吸收體形成的。