[發(fā)明專利]清洗半導(dǎo)體晶片的方法及其所采用的清洗系統(tǒng)

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 01119739.0
• 申請(qǐng)日: 2001-05-23
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN1387235A
• 公開(kāi)（公告）日: 2002-12-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李景倫
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 華邦電子股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/304
• 分類號(hào): H01L21/304;B08B3/04
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所
• 代理人: 任永武

1.一種用于半導(dǎo)體晶片的清洗系統(tǒng)，它包括：

一浴槽；

至少兩個(gè)同心隔間；

分隔所述隔間的隔墻，而在所述隔間之間形成障礙；

在所述隔墻的頂部形成的波紋，用以引起水層流；

容納所述晶片的晶舟，設(shè)置于所述隔間的內(nèi)隔間中；

清洗水的入口，位于所述內(nèi)隔間隔壁的第二隔間的底部，以使清洗水充滿所述第二隔間并溢出所述清洗水至分隔所述內(nèi)隔間和所述第二隔間的隔墻的頂部，并且清洗所述晶片；以及

清洗水的出口，位于所述浴槽的底部。

2.如權(quán)利要求1所述的清洗系統(tǒng)，其特征在于，一第三隔間設(shè)置于所述第二隔間外面。

3.如權(quán)利要求2所述的清洗系統(tǒng)，其特征在于，所述第二隔間與所述第三隔間的隔墻高于所述內(nèi)隔間與所述第二隔間的隔墻。

4.如權(quán)利要求1所述的清洗系統(tǒng)，其特征在于，所述波紋為V形。

5.如權(quán)利要求2所述的清洗系統(tǒng)，其特征在于，所述第二隔間與所述第三隔間的隔墻的波紋具有較所述內(nèi)隔間與所述第二隔間的隔墻的波紋為寬的間距。

6.如權(quán)利要求1所述的清洗系統(tǒng)，其特征在于，所述出口包括許多的孔洞。

7.如權(quán)利要求6所述的清洗系統(tǒng)，其特征在于，所述孔洞為不均勻的大小和不均勻的密度，以便引起所述清洗水的均勻流動(dòng)。

8.如權(quán)利要求1所述的清洗系統(tǒng)，其特征在于，所述清洗水的入口位于所述浴槽的前端。

9.如權(quán)利要求1所述的清洗系統(tǒng)，其特征在于，所述清洗水的入口包括許多的孔洞。

10.一種在浴槽中以清洗水清洗半導(dǎo)體晶片的方法，所述浴槽具有超過(guò)一個(gè)以上的隔間和在任何兩個(gè)隔間之間的隔墻，所述方法的步驟包括：

攔阻所述清洗水于一水包圍室中；

升高所述水閘中清洗水的水位；

將所述清洗水溢出所述水包圍室并使所述清洗水成波狀以產(chǎn)生一層流；以及

借助所述層流清洗所述晶片。

11.如權(quán)利要求10所述的清洗方法，其特征在于，在清洗步驟后還包括分送所述清洗水通過(guò)在所述浴槽底部的多個(gè)出口。