[發明專利]結合有電路的光接收裝置

無效

• 申請號: 01119687.4
• 申請日: 2001-03-29
• 公開（公告）號: CN1318867A
• 公開（公告）日: 2001-10-24
• 發明（設計）人: 福島稔彥;久保勝;林田茂樹
• 申請（專利權）人: 夏普公司
• 主分類號: H01L27/14
• 分類號: H01L27/14;H01L31/10;H04B10/06
• 代理公司: 柳沈知識產權律師事務所
• 代理人: 陶鳳波

1．一種結合有電路的光接收裝置，包括：

一個第一導電型的第一半導體襯底；

一個第一導電型的第一半導體層；

一個第一導電型的第二半導體層；

一個第二導電型的擴散區，設置在第一導電型的第二半導體層的第一部分；

一個電路元件，設置在第一導電型的第一半導體層的第一部分和第一導電型的第二半導體層的第二部分中，

其中：

第一導電型的第二半導體層和第二導電型的擴散區形成一個光探測光電二極管部分；和

第二導電型的擴散區具有擴散厚度小于或等于短波長信號光的穿透厚度。

2．根據權利要求1的結合有電路的光接收裝置，其中第二導電型的擴散區的擴散厚度小于或等于0.3μm。

3．根據權利要求2的結合有電路的光接收裝置，其中短波長信號光為藍光。

4．根據權利要求1的結合有電路的光接收裝置，其中第一導電型的第一半導體層的表面雜質濃度大于或等于1×10¹⁴cm^-3。

5．根據權利要求1的結合有電路的光接收裝置，其中第一導電型的第一半導體層和第一導電型的第二半導體層具有的雜質濃度使得當在光探測光電二極管部分施加反向偏壓以進行信號光的探測時，耗散層從第一導電型的第二半導體層和第二導電型的擴散區域之間的界面處向第一導電型的第二半導體層側處膨脹，到達的深度深于第一導電型的第一半導體層和第一導電型的第二半導體層之間的界面。

6．根據權利要求1的結合有電路的光接收裝置，其中第一導電型的高濃度掩埋層設置在第一導電型的第一半導體襯底和第一導電型的第一半導體層之間，其中高濃度掩埋層的雜質濃度大于第一導電型的第一半導體層的雜質濃度。

7．根據權利要求6的結合有電路的光接收裝置，其中第一導電型的高濃度掩埋層由掩埋擴散法或外延生長法提供。

8．根據權利要求1的結合有電路的光接收裝置，其中：

第一導電型的第一半導體層的第一部分和第一導電型的第二半導體層的第二部分具有N型阱區和P型阱區；和

采用N型阱區和P型阱區提供電路元件。

9．根據權利要求1的結合有電路的光接收裝置，其中第一導電型的隔離擴散區設置在光探測光電二極管部分和電路元件之間，其中隔離擴散區的雜質濃度大于第一導電型的第一半導體層的雜質濃度，并且第一導電型的隔離擴散區到達的位置較光探測光電二極管部分和電路元件要深。

10．根據權利要求1的結合有電路的光接收裝置，其中每個第一導電型的第一半導體層和第一導電型的第二半導體層的雜質濃度大于或等于1×10¹⁴cm^-3。

11．根據權利要求1的結合有電路的光接收裝置，其中第二導電型的擴散區被第一導電型的第二半導體層分成多個區。

12．根據權利要求1的結合有電路的光接收裝置，其中第二導電型的擴散區域被凹槽分為多個區。

13．根據權利要求12的結合有電路的光接收裝置，其中由LOCOS法提供凹槽。

14．一種結合有電路的光接收裝置，包括：

一個第一導電型的第一半導體層；

一個第一導電型的第一半導體層；

一個第一導電型的第二半導體層，一個到達設置在第二半導體層的第一導電型的第一半導體層的第一凹槽；

一個設置在第一導電型第一半導體層的第一部分的第二導電型擴散區，第一部分在第一凹槽的底側暴露；和

一個提供在第一導電型的第一半導體層的第二部分和第一導電型的第二半導體層的第一部分中的電路元件，

其中：

第一導電型的第一半導體層和第二導電型的擴散區形成一個光探測光電二極管部分；和

第二導電型的擴散區具有擴散厚度小于或等于短波長信號光的穿透厚度。

15．根據權利要求14的結合有電路的光接收裝置，其中第二導電型的擴散區的擴散厚度小于或等于0.3μm。

16．根據權利要求15的結合有電路的光接收裝置，其中短波長信號光為藍光。