[發(fā)明專利]非易失性內(nèi)存及其制作工藝

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 01119624.6
• 申請日: 2001-05-16
• 公開（公告）號: CN1385903A
• 公開（公告）日: 2002-12-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周國煜
• 申請（專利權(quán)）人: 華邦電子股份有限公司
• 主分類號: H01L27/105
• 分類號: H01L27/105;H01L21/8242
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所
• 代理人: 任永武

1.一種非易失性內(nèi)存，其特征在于，它包括：

一半導(dǎo)體基板；

一氧化層/氮化物層/氧化層的復(fù)合介電層，是形成于所述半導(dǎo)體基板上；

一浮動?xùn)牛切纬捎谒鲅趸瘜?氮化物層/氧化層的復(fù)合介電層上；以及

一控制柵，是形成于所述浮動?xùn)派稀?/p>

2.如權(quán)利要求1所述的非易失性內(nèi)存，其特征在于，所述半導(dǎo)體基板為一源極及汲極已成型的基板。

3.如權(quán)利要求2所述的非易失性內(nèi)存，其特征在于，所述源極及汲極已成型的基板具有一通道，所述通道是位于其源極及汲極之間。

4.如權(quán)利要求3所述的非易失性內(nèi)存，其特征在于，所述氧化層/氮化物層/氧化層存儲結(jié)構(gòu)是形成于所述源極及汲極已成型的基板的通道上與所述浮動?xùn)胖颉?/p>

5.如權(quán)利要求4所述的非易失性內(nèi)存，其特征在于，所述氧化層/氮化物層/氧化層存儲結(jié)構(gòu)包括：

一第一氧化層，是形成于所述半導(dǎo)體基板上；

一氮化物層，是形成于所述第一氧化層上；以及

一第二氧化層，是形成于所述氮化物層上。

6.如權(quán)利要求1所述的非易失性內(nèi)存，其特征在于，所述氧化層/氮化物層/氧化層存儲結(jié)構(gòu)通過注入若干電子于氧化層/氮化物層/氧化層存儲結(jié)構(gòu)以記錄一數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)。

7.如權(quán)利要求6所述的非易失性內(nèi)存，其特征在于，所述ONO存儲結(jié)構(gòu)是包括：

一第一氧化層，是形成于所述半導(dǎo)體基板上；

一氮化物層，是形成于所述第一氧化層上；以及

一第二氧化層，是形成于所述氮化物層上。

8.如權(quán)利要求7所述的非易失性內(nèi)存，其特征在于，所述氮化物層是用以注入所述若干電子于氧化層/氮化物層/氧化層存儲結(jié)構(gòu)以記錄所述數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)。

9.如權(quán)利要求6所述的非易失性內(nèi)存，其特征在于，所述氧化層/氮化物層/氧化層存儲結(jié)構(gòu)更通過注入若干空穴于氧化層/氮化物層/氧化層存儲結(jié)構(gòu)以抹除所述數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)。

10.如權(quán)利要求9所述的非易失性內(nèi)存，其特征在于，所述氧化層/氮化物層/氧化層存儲結(jié)構(gòu)包括：

一第一氧化層，是形成于所述半導(dǎo)體基板上；

一氮化物層，是形成于所述第一氧化層上；以及

一第二氧化層，是形成于所述氮化物層上。

11.如權(quán)利要求10所述的非易失性內(nèi)存，其特征在于，所述氮化物層用以注入所述若干空穴于氧化層/氮化物層/氧化層存儲結(jié)構(gòu)以抹除所述數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)。

12.如權(quán)利要求1所述的非易失性內(nèi)存，其特征在于，所述浮動?xùn)艠O及所述控制柵極之間包括一介電層。

13.如權(quán)利要求1所述的非易失性內(nèi)存，其特征在于，所述氧化層/氮化物層/氧化層存儲結(jié)構(gòu)包括：

一第一氧化層，是形成于所述半導(dǎo)體基板上；

一氮化物層，是形成于所述第一氧化層上；以及

一第二氧化層，是形成于所述氮化物層上。

14.一種非易失性內(nèi)存的制作工藝，其特征在于，它包括下列步驟：

提供一半導(dǎo)體基板；

形成一氧化層/氮化物層/氧化層的復(fù)合介電層于所述半導(dǎo)體基板上；

形成一浮動?xùn)艠O于所述氧化層/氮化物層/氧化層的復(fù)合介電層上；以及

形成一控制柵極于所述浮動?xùn)艠O上。

15.如權(quán)利要求14所述的非易失性內(nèi)存的制作工藝，其特征在于，所述半導(dǎo)體基板為一源極及汲極已成型的基板。

16.如權(quán)利要求15所述的非易失性內(nèi)存的制作工藝，其特征在于，所述源極及汲極已成型的基板具有一通道，所述通道是位于其源極及汲極之間。

17.如權(quán)利要求16所述的非易失性內(nèi)存的制作工藝，其特征在于，所述氧化層/氮化物層/氧化層存儲結(jié)構(gòu)是形成于所述源極及汲極已成型的基板的通道上與所述浮動?xùn)胖g。

18.如權(quán)利要求17所述的非易失性內(nèi)存的制作工藝，其特征在于，所述氧化層/氮化物層/氧化層存儲結(jié)構(gòu)包括：

一第一氧化層，是形成于所述半導(dǎo)體基板上；

一氮化物層，是形成于所述第一氧化層上；以及

一第二氧化層，是形成于所述氮化物層上。