[發(fā)明專利]具有波動標題區(qū)的光記錄介質(zhì)、數(shù)據(jù)記錄方法及其裝置

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 01119546.0
• 申請日: 2001-05-29
• 公開（公告）號: CN1361521A
• 公開（公告）日: 2002-07-31
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李坰根;樸仁植;金倫基;大塚達宏;全鎮(zhèn)勛;高禎完;尹斗燮
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G11B7/007
• 分類號: G11B7/007;G11B20/12
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所
• 代理人: 陶鳳波

本發(fā)明涉及一種光記錄介質(zhì)，更具體地是，涉及一種具有波動信號記錄在其上且用戶數(shù)據(jù)可以記錄在其上的波動軌道的光記錄介質(zhì)，以及數(shù)據(jù)記錄方法及其裝置。

光記錄介質(zhì)包括標題(header)信息記錄在其上的標題區(qū)，和用戶數(shù)據(jù)記錄在其上的用戶數(shù)據(jù)區(qū)。在2.65GB或4.7GB的DVD-RAM情況下，每個扇區(qū)包括128字節(jié)的標題信息。在制造光盤基片時，將標題信息記錄成預(yù)凹坑(pre-pits)形式。根據(jù)DVD-RAM規(guī)格，標題區(qū)包括一用于鎖相環(huán)路(PLL)的可變頻率振蕩器(VFO)區(qū)域、一指定扇區(qū)號的物理識別數(shù)據(jù)(PID)區(qū)域以及一用于存儲ID錯誤檢測信息的ID錯誤檢測(IED)區(qū)域。標題區(qū)設(shè)置在扇區(qū)的預(yù)定部分上。設(shè)置在記錄/再現(xiàn)裝置內(nèi)的拾取裝置可以基于記錄在標題區(qū)上的信息輕易地識別扇區(qū)號、扇區(qū)類型以及紋間表面(land)或紋槽(groove)軌道。

隨著多媒體使用的快速發(fā)展，已經(jīng)提出了各種用于向光記錄介質(zhì)，如數(shù)字多用盤(DVD)上記錄更多信息的方法。例如，現(xiàn)有擴寬用戶數(shù)據(jù)可以記錄在其上的用戶數(shù)據(jù)區(qū)、減小記錄或再現(xiàn)激光的波長以及減小軌道間距的多種方法。

圖1是傳統(tǒng)光盤的示意圖。參照圖1，光盤上形成有對應(yīng)用戶數(shù)據(jù)記錄在其上的用戶數(shù)據(jù)區(qū)的紋間表面和紋槽。標題信息以預(yù)凹坑形式記錄其上的標題區(qū)3也設(shè)置在光盤上。

圖2A到2D示出傳統(tǒng)光盤的標題區(qū)的示例。參照圖2A，記錄標題信息的預(yù)凹坑設(shè)置在每個紋間表面和紋槽軌道的中部。換句話說，每個軌道確定了預(yù)凹坑。在這種結(jié)構(gòu)中，軌道和預(yù)凹坑設(shè)置在相同的圓周上，從而波動信號和標題信息可以一次性記錄。然而，如果軌道密度增大以改善記錄密度的話，在標題信息再現(xiàn)時可能會出現(xiàn)串擾。

參照圖2B，預(yù)凹坑設(shè)置在紋間表面軌道和紋槽軌道之間的邊界處。在這種結(jié)構(gòu)中，與圖2A的結(jié)構(gòu)相比較，即使軌道密度增大，也不會輕易發(fā)生串擾。另外，預(yù)凹坑可以記錄其上的區(qū)域變寬使得凹坑的寬度可以增大。換句話說，在信號再現(xiàn)方面，圖2B的結(jié)構(gòu)比圖2A的結(jié)構(gòu)更為優(yōu)選。然而，由于預(yù)凹坑設(shè)置在紋間表面軌道和紋槽軌道之間的邊界處，在記錄或再現(xiàn)期間，這種結(jié)構(gòu)易于被拾取裝置的尋軌偏移損壞。

參照圖2C，一組預(yù)凹坑設(shè)置在每個紋間表面或紋槽軌道的中部，從而在一個軌道內(nèi)的一組預(yù)凹坑與相鄰軌道內(nèi)另一組預(yù)凹坑不相鄰。于是，即使軌道密度增大，在相鄰軌道間串擾發(fā)生的可能性會很低。然而，由于預(yù)凹坑設(shè)置在每個軌道的中部，這種結(jié)構(gòu)對于尋軌錯誤不敏感，因此其難于進行靈敏的伺服控制。

圖2D所示的結(jié)構(gòu)用于目前的DVD-RAM中。一組預(yù)凹坑設(shè)置在紋間表面軌道和紋槽軌道之間的邊界上，使得在一條軌道內(nèi)的一組預(yù)凹坑不會與相鄰軌道內(nèi)的另一組預(yù)凹坑相鄰。于是可以減小串擾，并且可以達到靈敏的伺服控制。然而，在盤基片制造過程中，難于定位相鄰軌道間不相鄰的預(yù)凹坑。于是，構(gòu)成標題區(qū)的多種元素的信號特性可能會彼此不一致。

在目前使用的DVD-RAM中，標題面積與盤面積的比值達到每扇區(qū)5％。通過使這種額外量減至最小來增大用戶數(shù)據(jù)區(qū)，使用了具有雙數(shù)據(jù)可記錄側(cè)的雙層結(jié)構(gòu)。然而，在這種雙層結(jié)構(gòu)中，在數(shù)據(jù)記錄到上層時，記錄能量受到下層的物理外形影響。

為了得到改進，根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的預(yù)凹坑形式記錄的標題區(qū)的物理外形施加在雙層結(jié)構(gòu)中記錄能量的影響被模擬并測量。

為了模擬反射光量，計算自每個反射鏡基片的反射光量、凹坑面積以及具有標記的紋槽面積，如圖3A到3D所示?？紤]到雙層結(jié)構(gòu)中的下層和上層之間空間層的作用，透鏡采用了30μm的曲率。另外，在計算中考慮由穿過透鏡的激光束捕捉到的下層軌道數(shù)。

為了測量反射光量，設(shè)定如圖4A到4C所示的條件。在此，“L0”表示下層，而“L1”表示上層。反射膜1形成在上層L1之下。激光束聚焦在圖4A的反射鏡區(qū)上、圖4B的凹坑區(qū)上以及圖4C的紋槽區(qū)上(沒有標記)。

圖5為示出從圖3A到4C獲得的結(jié)果的曲線。在根據(jù)模擬的計算中，軌道凹坑加倍以覆蓋如圖2A所示的結(jié)構(gòu)。對于具有標記的紋槽區(qū)域，只考慮標記部分和紋間表面或紋槽部分之間的反射率的不同。不考慮由于非結(jié)晶狀態(tài)和結(jié)晶狀態(tài)之間吸收率的不同而造成的有標記部分的透射率的不同。

以下是試驗的輸入?yún)?shù)和其數(shù)值的列表。