[發明專利]液相沉積法的單面生長與量產方法及裝置

無效

• 申請號: 01119229.1
• 申請日: 2001-05-14
• 公開（公告）號: CN1385883A
• 公開（公告）日: 2002-12-18
• 發明（設計）人: 李明達;廖星智
• 申請（專利權）人: 華邦電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/31
• 分類號: H01L21/31;H01L21/288;H01L21/208
• 代理公司: 上海專利商標事務所
• 代理人: 任永武

1.一種液相沉積法的單面生長與量產方法，用以對一晶片進行一液相沉積工藝過程，其特征在于，包括下列步驟：

提供一第一晶片承載器，于所述第一晶片承載器上置放所述晶片；

提供一生長液槽，所述成長液槽具有一第一開口，并使所述生長液槽的第一開口與所述第一晶片承載器上的晶片接合；以及

提供生長溶液，置入所述生長液槽，于進行所述液相沉積工藝過程后，將所述生長液槽的第一開口朝上，以取出所述第一晶片承載器上的晶片。

2.如權利要求1所述的液相沉積法的單面生長與量產方法，其特征在于，所述晶片是借助一O型環與生長液槽接合，以防止所述生長溶液外溢。

3.如權利要求2所述的液相沉積法的單面生長與量產方法，其特征在于，所述O型環具有一半徑及一形狀，所述半徑比所述第一開口大，而所述形狀與所述晶片相似。

4.如權利要求1所述的液相沉積法的單面生長與量產方法，其特征在于，所述生長液槽還具有一第二開口，用以置入所述生長溶液。

5.如權利要求4所述的液相沉積法的單面生長與量產方法，其特征在于，所述第二開口借助一第二晶片承載器以封合于其上。

6.如權利要求5所述的液相沉積法的單面生長與量產方法，其特征在于，所述第二晶片承載器先置放另一晶片于其上后始封合于所述第二開口上。

7.如權利要求6所述的液相沉積法的單面生長與量產方法，其特征在于，所述另一晶片是于所述第一開口朝上以取出所述第一晶片承載器上的晶片時，進行所述液相沉積工藝過程。

8.如權利要求1所述的液相沉積法的單面生長與量產方法，其特征在于，所述液相沉積工藝過程可適用于數個晶片。

9.如權利要求8所述的液相沉積法的單面生長與量產方法，其特征在于，所述數個晶片置放于所述第一晶片承載器上。

10.如權利要求9所述的液相沉積法的單面生長與量產方法，其特征在于，還提供數個生長液槽，置入所述生長溶液，以對所述數個晶片進行所述液相沉積工藝過程。

11.如權利要求10所述的液相沉積法的單面生長與量產方法，其特征在于，所述數個生長液槽分別借助數個O型環與所述數個晶片接合在一起，以防止所述生長溶液溢出。

12.如權利要求11所述的液相沉積法的單面生長與量產方法，其特征在于，所述數個O型環之間保留一間距，以防止所述數個晶片間相互掩蓋碰撞。

13.如權利要求1所述的液相沉積法的單面生長與量產方法，其特征在于，所述晶片具有一尺寸，所述尺寸是依設計而定。

14.如權利要求1所述的液相沉積法的單面生長與量產方法，其特征在于，所述液相沉積工藝過程用于成長一氧化膜。

15.一種液相沉積法的單面生長與量產裝置，用于對一晶片進行一液相沉積工藝過程，它包括：

一第一晶片承載器，用以承載所述晶片；

一生長液槽，設有一第一開口，用以容置生長溶液，且借助所述第一開口與所述第一晶片承載器上所述晶片的接合以進行所述液相沉積工藝過程。

16.如權利要求15所述的液相沉積法的單面生長與量產裝置，其特征在于，所述第一晶片承載器及所述生長液槽是由一抗腐蝕材料制成。

17.如權利要求16所述的液相沉積法的單面生長與量產裝置，其特征在于，所述抗腐蝕材料為一鐵氟龍材料。

18.如權利要求16所述的液相沉積法的單面生長與量產裝置，其特征在于，所述抗腐蝕材料為一PE材料。

19.如權利要求15所述的液相沉積法的單面生長與量產裝置，其特征在于，所述晶片承載器上的所述晶片是借助一O型環與生長液槽接合，以防止所述生長溶液外溢。

20.如權利要求19所述的液相沉積法的單面生長與量產裝置，其特征在于，所述O型環具有一半徑及一形狀，所述半徑比所述第一開口大，而所述形狀是與所述晶片相似。

21.如權利要求15所述的液相沉積法的單面生長與量產裝置，其特征在于，所述生長液槽還具有一第二開口，用以置入所述生長溶液。