[發明專利]非易失性半導體存儲裝置無效
| 申請號： | 01118833.2 | 申請日： | 2001-06-19 |
| 公開（公告）號： | CN1350333A | 公開（公告）日： | 2002-05-22 |
| 發明（設計）人： | 嶋田恭博;加藤剛久 | 申請（專利權）人： | 松下電器產業株式會社 |
| 主分類號： | H01L27/105 | 分類號： | H01L27/105;H01L27/115 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 | 代理人： | 黃永奎 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 非易失性 半導體 存儲 裝置 | ||
【權利要求書】：
1.一種非易失性半導體存儲裝置，包括：形成在硅襯底上的源極區域以及漏極區域，形成在所述硅襯底的所述源極區域和所述漏極區域之間的區域上側的電介質膜，形成在所述電介質膜上的強電介質膜，形成在所述強電介質膜上的柵電極；其特征在于：
所述強電介質膜的導電型以及所述硅襯底的導電型都是p型，同時所述源極區域以及所述漏極區域的導電型是n型。
2.一種非易失性半導體存儲裝置，包括：形成在硅襯底上的源極區域以及漏極區域，形成在所述硅襯底的所述源極區域和所述漏極區域之間的區域上側的電介質膜，形成在所述電介質膜上的強電介質膜，形成在所述強電介質膜上的柵電極；其特征在于：
所述強電介質膜的導電型以及所述硅襯底的導電型都是n型，同時所述源極區域以及所述漏極區域的導電型是p型。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
