[發(fā)明專(zhuān)利]接觸式曝光與電子束直寫(xiě)技術(shù)相結(jié)合的混合曝光方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 01118807.3
• 申請(qǐng)日: 2001-06-14
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN1392593A
• 公開(kāi)（公告）日: 2003-01-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鄭英奎;和致經(jīng);吳德馨;劉明
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院微電子中心
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/027
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/027;G03F7/20
• 代理公司: 中科專(zhuān)利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 湯保平

1、一種接觸式曝光與電子束直寫(xiě)技術(shù)相結(jié)合的混合曝光方法，其特征在于，是接觸式曝光與電子束直寫(xiě)技術(shù)相結(jié)合，該方法在制作HFET器件過(guò)程中包括如下光刻步驟：

步驟1：光刻小源漏版，形成小源漏區(qū)，用電子束直寫(xiě)曝光，完成源漏與有源區(qū)的歐姆接觸部分和檢測(cè)隔離島腐蝕狀況的方塊金屬；

步驟2：光刻島版，是光學(xué)版，對(duì)第一版進(jìn)行套刻，腐蝕出有源區(qū)；

步驟3：光刻大源漏柵版，是光學(xué)版，用來(lái)形成器件的壓點(diǎn)，并使形成的大源漏與小源漏搭接在一起，形成完整的源漏金屬區(qū)，同時(shí)形成大面積的柵金屬區(qū)；

步驟4：光刻?hào)虐妫请娮邮妫ㄟ^(guò)電子束曝光形成精細(xì)的柵條，并與步驟3形成的大面積的柵金屬搭接形成完整的柵區(qū)。

2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的接觸式曝光與電子束直寫(xiě)技術(shù)相結(jié)合的混合曝光方法，其特征在于，在步驟1和步驟4精確套準(zhǔn)和實(shí)現(xiàn)精細(xì)線條的工藝中應(yīng)用聚異丁烯酸甲脂及其甲基丙烯酸共聚物系列光刻膠，并采用電子束曝光，其他圖形用普通接觸式曝光。

3、根據(jù)權(quán)利要求1所述的接觸式曝光與電子束直寫(xiě)技術(shù)相結(jié)合的混合曝光方法，其特征在于，其中步驟1用電子束直寫(xiě)曝光形成間距較窄，面積較小的的歐姆接觸部分和檢測(cè)隔離島腐蝕狀況的方塊金屬和混合混合曝光標(biāo)記。

4、根據(jù)權(quán)利要求1所述的接觸式曝光與電子束直寫(xiě)技術(shù)相結(jié)合的混合曝光方法，其特征在于，其中步驟2所述的用普通光學(xué)版對(duì)第一版進(jìn)行套刻，腐蝕出有源區(qū)，其所使用的光刻膠為i線膠。

5、根據(jù)權(quán)利要求1所述的接觸式曝光與電子束直寫(xiě)技術(shù)相結(jié)合的混合曝光方法，其特征在于，其中步驟4所述的精細(xì)線條為0.5微米以下。