[發明專利]具有金屬間隙壁的內連導線結構及其制作方法

無效

• 申請號: 01118680.1
• 申請日: 2001-06-07
• 公開（公告）號: CN1391275A
• 公開（公告）日: 2003-01-15
• 發明（設計）人: 徐震球;鐘振輝;林義雄
• 申請（專利權）人: 矽統科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/52
• 分類號: H01L23/52;H01L21/768
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司
• 代理人: 劉朝華

1、一種具有金屬間隙壁的內連導線結構，至少包含內連導線形成于半導體基底表面上，其特征是：作為蝕刻阻擋層或內連導線的固定支撐層的第一金屬間隙壁形成于該內連導線的側壁上。

2、根據權利要求1所述的具有金屬間隙壁的內連導線結構，其特征是：該內連導線是由鋁、銅或鋁硅銅所構成。

3、根據權利要求1所述的具有金屬間隙壁的內連導線結構，其特征是：該第一金屬間隙壁是由鈦、氮化鈦、鉭或氮化鉭所構成。

4、根據權利要求1所述的具有金屬間隙壁的內連導線結構，其特征是：該內連導線的頂部設置有抗反射層。

5、根據權利要求4所述的具有金屬間隙壁的內連導線結構，其特征是：該抗反射層是由鈦/氮化鈦或氮氧化硅所構成。

6、根據權利要求1所述的具有金屬間隙壁的內連導線結構，其特征是：另包含有第二金屬間隙壁形成于該第一金屬間隙壁的表面。

7、根據權利要求1所述的具有金屬間隙壁的內連導線結構，其特征是：該第一金屬間隙壁由鈦或鉭所構成。

8、根據權利要求1所述的具有金屬間隙壁的內連導線結構，其特征是：該第二金屬間隙壁是由氮化鈦或氮化鉭所構成。

9、一種具有金屬間隙壁的內連導線的制作方法，其特征是：它至少包含下列步驟：

(1)提供半導體基底的表面上設置有多數個內連導線，于該內連導線和基底表面上形成第一金屬層；

(2)對該第一金屬層進行一回蝕刻制程，以曝露該內連導線的頂部和基底的表面，而殘留于該內連導線側壁的第一金屬層成為第一金屬間隙壁；

(3)形成介電層以覆蓋該內連導線、基底以及第一間隙壁的表面；

(4)對該介電層進行平坦化制程。

10、根據權利要求9所述的具有金屬間隙壁的內連導線的制作方法，其特征是：該內連導線的頂部設置有抗反射層。

11、根據權利要求9所述的具有金屬間隙壁的內連導線的制作方法，其特征是：該抗反射層是由鈦/氮化鈦或氮氧化硅所構成。

12、根據權利要求10所述的具有金屬間隙壁的內連導線的制作方法，其特征是：該內連線是由鋁、銅或鋁硅銅所構成。

13、根據權利要求9所述的具有金屬間隙壁的內連導線的制作方法，其特征是：該第一金屬層是由鈦、氮化鈦、鉭或氮化鉭所構成。

14、根據權利要求9所述的具有金屬間隙壁的內連導線的制作方法，其特征是：該介電層是由二氧化硅所構成。

15、根據權利要求9所述的具有金屬間隙壁的內連導線的制作方法，其特征是：制作完成該第一金屬間隙壁之后，另外包含下列步驟：

(5)于該內連導線、基底以及第一間隙壁的曝露表面上形成第二金屬層；

(6)對該第二金屬層進行回蝕刻制程，以曝露該內連導線的頂部和基底的表面，而殘留于該第一金屬間隙壁表面的該第二金屬層成為第二金屬間隙壁。

16、根據權利要求15所述的具有金屬間隙壁的內連導線的制作方法，其特征是：該第一間隙壁是由鈦或鉭所構成。

17、根據權利要求15所述的具有金屬間隙壁的內連導線的制作方法，其特征是：該第二金屬間隙壁是由氮化鈦或氮化鉭所構成。