[發明專利]瞬態過電壓保護元件結構

無效

• 申請號: 01118128.1
• 申請日: 2001-05-17
• 公開（公告）號: CN1387203A
• 公開（公告）日: 2002-12-25
• 發明（設計）人: 李俊遠;徐康能
• 申請（專利權）人: 佳邦科技股份有限公司
• 主分類號: H01C7/12
• 分類號: H01C7/12;H01L23/62
• 代理公司: 隆天國際專利商標代理有限公司
• 代理人: 陳紅,潘培坤

1.一種瞬態過電壓保護元件結構，適用于電子元件，其特征在于該瞬態過電壓保護元件結構包括：

一基板；

一接地電極，該接地電極設置在基板上；

一可變阻抗材料層，該可變阻抗材料層設置在接地電極的一端上，并與接地電極電連接；

一絕緣層，該絕緣層設置在可變阻抗材料層的邊緣，并使可變阻抗材料層的中央部分暴露出來；以及

一信號電極，該信號電極的一端設置在絕緣層與暴露的可變阻抗材料層上，并與可變阻抗材料層電連接，且信號電極的邊緣位于絕緣層上。

2.根據權利要求1所述的瞬態過電壓保護元件結構，其特征在于，基板包括玻璃基板、陶瓷基板。

3.根據權利要求1所述的瞬態過電壓保護元件結構，其特征在于，可變阻抗材料層與信號電極之間具有一接觸面，用于將瞬態過電壓導入接地電極。

4.根據權利要求1所述的瞬態過電壓保護元件結構，其特征在于，絕緣層可避免信號電極邊緣的尖端放電效應。

5.根據權利要求1所述的瞬態過電壓保護元件結構，其特征在于，絕緣層的材料包括硅氧化物、氮氧化物等低介電常數材料。

6.根據權利要求1所述的瞬態過電壓保護元件結構，其特征在于，絕緣層為一方框結構。

7.一種瞬態過電壓保護元件結構，適用于電子元件，其特征在于該瞬態過電壓保護元件結構包括：

一基板；

一信號電極與一接地電極，該第一電極與該接地電極設置在基板上；

一絕緣層，該絕緣層設置在信號電極與接地電極之間的基板上；以及

一可變阻抗材料層，該可變阻抗材料層設置在信號電極與接地電極之間的絕緣層上，并經過可變阻抗材料層與信號電極及接地電極電連接。

8.根據權利要求7所述的瞬態過電壓保護元件結構，其特征在于，基板包括玻璃基板、陶瓷基板。

9.根據權利要求7所述的瞬態過電壓保護元件結構，其特征在于，可變阻抗材料層與信號電極之間具有一接觸面，用于將瞬態過電壓導入接地電極。

10.根據權利要求7所述的瞬態過電壓保護元件結構，其特征在于，絕緣層包覆信號電極的邊緣，以避免信號電極邊緣的尖端放電效應。

11.根據權利要求7所述的瞬態過電壓保護元件結構，其特征在于，絕緣層的材料包括硅氧化物、金屬氧化物等低介電常數材料。

12.一種瞬態過電壓保護元件結構，適用于一電子元件，該瞬態過電壓保護元件結構包括一基板、設置在基板上的一信號電極與一接地電極、一設置在信號電極與接地電極之間的絕緣層，以及一設置在信號電極與接地電極之間的可變阻抗材料層，其特征在于利用絕緣層將信號電極的邊緣包覆，經過可變阻抗材料層與信號電極之間接觸面將瞬態過電壓導入接地電極。

13.根據權利要求12所述的瞬態過電壓保護元件結構，其特征在于，可變組抗材料層設置在接地電極的一端上，絕緣層設置在可變阻抗材料層的邊緣，并將可變阻抗材料層中央部分暴露出來，信號電極的一端設置在絕緣層與暴露的可變阻抗材料層上。

14.根據權利要求12或13所述的瞬態過電壓保護元件結構，其特征在于，絕緣層為一方框結構。

15.根據權利要求12或13所述的瞬態過電壓保護元件結構，其特征在于，絕緣層的結構與可變阻抗材料層的輪廓一致。

16.根據權利要求12所述的瞬態過電壓保護元件結構，其特征在于，絕緣層設置在信號電極與接地電極之間的基底上，以將信號電極包覆，可變組抗材料層設置在信號電極與接地電極之間的絕緣層上，并與信號電極和接地電極電連接。

17.根據權利要求12所述的瞬態過電壓保護元件結構，其特征在于，基板包括玻璃基板、陶瓷基板。

18.根據權利要求12所述的瞬態過電壓保護元件結構，其特征在于，絕緣層的材料包括硅氧化物、金屬氧化物等低介電常數材料。