[發(fā)明專利]高速半導(dǎo)體光電探測器無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 01117344.0 | 申請(qǐng)日: | 2001-01-23 |
| 公開(公告)號(hào): | CN1327272A | 公開(公告)日: | 2001-12-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 艾倫·優(yōu)吉恩·邦德 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 朗迅科技公司 |
| 主分類號(hào): | H01L31/04 | 分類號(hào): | H01L31/04;H01L27/14 |
| 代理公司: | 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 | 代理人: | 蔣世迅 |
| 地址: | 美國新*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 高速 半導(dǎo)體 光電 探測器 | ||
1、一種半導(dǎo)體雪崩光電探測器(10),包括:基本上不摻雜質(zhì)的放大層(14);薄的、基本上不摻雜質(zhì)的光吸收層(16);和摻雜質(zhì)的波導(dǎo)層(17),該波導(dǎo)層與光吸收層相分離,并且能夠?qū)⑷肷涔庖氲焦馕諏印?/p>
2、根據(jù)權(quán)利要求1的裝置,還包括與放大層一個(gè)表面相鄰的第一電荷層(13)以及與放大層另一個(gè)表面相鄰的第二電荷層(15)。
3、根據(jù)權(quán)利要求1的裝置,其中吸收層的厚度在50-100nm的范圍內(nèi)。
4、根據(jù)權(quán)利要求1的裝置,其中該裝置有一個(gè)本征區(qū)(14-16),該區(qū)域包括吸收層和放大層,該本征區(qū)的厚度在300至500nm的范圍內(nèi)。
5、根據(jù)權(quán)利要求4的裝置,其中本征區(qū)還包括電荷層(18)。
6、根據(jù)權(quán)利要求1的裝置,其中吸收層由InGaAs組成。
7、根據(jù)權(quán)利要求6的裝置,其中波導(dǎo)層由InGaAsP組成。
8、根據(jù)權(quán)利要求7的裝置,其中放大層由InAlAs組成。
9、根據(jù)權(quán)利要求1的裝置,其中該裝置的傳輸時(shí)間限制的帶寬至少為40GHz。
10、根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其中波導(dǎo)層摻雜質(zhì)的密度在7×1017cm-3至1×1018cm-3范圍內(nèi)。
11、一種制造雪崩光電探測器的方法,包括以下步驟
在基底之上形成基本上不摻雜質(zhì)的放大層(14);
在放大層之上形成薄的、且基本上不摻雜質(zhì)的光吸收層(16);和
在光吸收層之上形成分離的、摻雜質(zhì)的波導(dǎo)層(17),該波導(dǎo)層能夠?qū)⑷肷涔庖氲焦馕諏印?/p>
12、根據(jù)權(quán)利要求11的方法,其中各層通過MOCVD形成。
13、根據(jù)權(quán)利要求11的方法,還包括在形成放大層之前,在基底之上形成第一電荷層(13),和在形成吸收層之前,在放大層之上形成第二電荷層(15)。
14、根據(jù)權(quán)利要求11的方法,其中吸收層的厚度在50-100nm的范圍內(nèi)。
15、根據(jù)權(quán)利要求11的方法,其中吸收層和放大層形成本征區(qū)(14-16),其厚度范圍在300-500nm。
16、根據(jù)權(quán)利要求15的方法,其中本征區(qū)還包括電荷層(15)。
17、根據(jù)權(quán)要求11的方法,其中吸收層由InGaAs組成。
18、根據(jù)權(quán)利要求17的方法,其中波導(dǎo)層由InGaAsP組成。
19、根據(jù)權(quán)利要求18的方法,其中放大層由InAlAs組成。
20、根據(jù)權(quán)利要求11的方法,其中波導(dǎo)層摻雜質(zhì)密度在7×1017cm-3至1×1018cm-3。
21、一種包括雪崩光學(xué)探測器(10)的光學(xué)接收器(32),包括:
基本上不摻雜質(zhì)的放大層(14);薄且基本上不摻雜質(zhì)的光吸收層(16);以及摻雜質(zhì)的波導(dǎo)層(17),該波導(dǎo)層與光吸收層相分離,并且能夠?qū)⑷肷涔庖氲焦馕諏印?/p>
22、一種光學(xué)網(wǎng)絡(luò),包括發(fā)射機(jī)(32),與發(fā)射機(jī)相耦合的光纖(31),以及與光纖相耦合的光學(xué)接收器(32),所述接收器包括雪崩光學(xué)探測器,該雪崩探測器由以下組成:
基本不摻雜質(zhì)的放大層(14);薄且基本上不摻雜質(zhì)的光吸收層(16);以及摻雜質(zhì)的波導(dǎo)層(17),該波導(dǎo)層與光吸收層相分離,并且能夠?qū)⑷肷涔庖氲轿諏印?/p>
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





