[發明專利]高速半導體光電探測器

無效

• 申請號: 01117344.0
• 申請日: 2001-01-23
• 公開（公告）號: CN1327272A
• 公開（公告）日: 2001-12-19
• 發明（設計）人: 艾倫·優吉恩·邦德
• 申請（專利權）人: 朗迅科技公司
• 主分類號: H01L31/04
• 分類號: H01L31/04;H01L27/14
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 蔣世迅

1、一種半導體雪崩光電探測器(10)，包括：基本上不摻雜質的放大層(14)；薄的、基本上不摻雜質的光吸收層(16)；和摻雜質的波導層(17)，該波導層與光吸收層相分離，并且能夠將入射光引入到光吸收層。

2、根據權利要求1的裝置，還包括與放大層一個表面相鄰的第一電荷層(13)以及與放大層另一個表面相鄰的第二電荷層(15)。

3、根據權利要求1的裝置，其中吸收層的厚度在50-100nm的范圍內。

4、根據權利要求1的裝置，其中該裝置有一個本征區(14-16)，該區域包括吸收層和放大層，該本征區的厚度在300至500nm的范圍內。

5、根據權利要求4的裝置，其中本征區還包括電荷層(18)。

6、根據權利要求1的裝置，其中吸收層由InGaAs組成。

7、根據權利要求6的裝置，其中波導層由InGaAsP組成。

8、根據權利要求7的裝置，其中放大層由InAlAs組成。

9、根據權利要求1的裝置，其中該裝置的傳輸時間限制的帶寬至少為40GHz。

10、根據權利要求1所述的裝置，其中波導層摻雜質的密度在7×10¹⁷cm^-3至1×10¹⁸cm^-3范圍內。

11、一種制造雪崩光電探測器的方法，包括以下步驟

在基底之上形成基本上不摻雜質的放大層(14)；

在放大層之上形成薄的、且基本上不摻雜質的光吸收層(16)；和

在光吸收層之上形成分離的、摻雜質的波導層(17)，該波導層能夠將入射光引入到光吸收層。

12、根據權利要求11的方法，其中各層通過MOCVD形成。

13、根據權利要求11的方法，還包括在形成放大層之前，在基底之上形成第一電荷層(13)，和在形成吸收層之前，在放大層之上形成第二電荷層(15)。

14、根據權利要求11的方法，其中吸收層的厚度在50-100nm的范圍內。

15、根據權利要求11的方法，其中吸收層和放大層形成本征區(14-16)，其厚度范圍在300-500nm。

16、根據權利要求15的方法，其中本征區還包括電荷層(15)。

17、根據權要求11的方法，其中吸收層由InGaAs組成。

18、根據權利要求17的方法，其中波導層由InGaAsP組成。

19、根據權利要求18的方法，其中放大層由InAlAs組成。

20、根據權利要求11的方法，其中波導層摻雜質密度在7×10¹⁷cm^-3至1×10¹⁸cm^-3。

21、一種包括雪崩光學探測器(10)的光學接收器(32)，包括：

基本上不摻雜質的放大層(14)；薄且基本上不摻雜質的光吸收層(16)；以及摻雜質的波導層(17)，該波導層與光吸收層相分離，并且能夠將入射光引入到光吸收層。

22、一種光學網絡，包括發射機(32)，與發射機相耦合的光纖(31)，以及與光纖相耦合的光學接收器(32)，所述接收器包括雪崩光學探測器，該雪崩探測器由以下組成：

基本不摻雜質的放大層(14)；薄且基本上不摻雜質的光吸收層(16)；以及摻雜質的波導層(17)，該波導層與光吸收層相分離，并且能夠將入射光引入到吸收層。