[發(fā)明專利]特別用于開關(guān)或斷路器的電氣保護(hù)裝置的真空盒無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 01117032.8 | 申請日: | 2001-04-19 |
| 公開(公告)號: | CN1321994A | 公開(公告)日: | 2001-11-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 漢斯·謝爾肯斯;丹尼斯·吉?jiǎng)诘?/a>;瑟奇·奧利夫;克里斯托夫·阿諾 | 申請(專利權(quán))人: | 施耐德電器工業(yè)公司 |
| 主分類號: | H01H9/30 | 分類號: | H01H9/30;H01H9/44;H01H33/664 |
| 代理公司: | 柳沈知識產(chǎn)權(quán)律師事務(wù)所 | 代理人: | 李瑞海 |
| 地址: | 法國呂埃*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 特別 用于 開關(guān) 斷路器 電氣 保護(hù)裝置 真空 | ||
1.一種真空盒,特別用于電氣保護(hù)裝置,諸如開關(guān)或斷路器,所述盒包括由兩個(gè)端板封閉的大致為圓柱形的外殼,兩個(gè)軸向延伸到外殼內(nèi)側(cè)的觸點(diǎn),被稱為可動觸點(diǎn)至少一個(gè)觸點(diǎn)連接到一操縱機(jī)構(gòu),并且滑動地安裝在對應(yīng)裝置休止位置的觸點(diǎn)閉合位置和觸點(diǎn)分離并在其間形成電弧的位置之間,觸點(diǎn)的分離導(dǎo)致電路斷路,且所述盒還包括用于產(chǎn)生軸向磁場的裝置,該磁場用于在電弧形成區(qū)域內(nèi)散布電弧,其特征在于,所述盒包括稱為第一裝置的裝置,以在斷路期間加速冷卻,尤其是以液體形式在所述觸點(diǎn)或各觸點(diǎn)(4、5)的接觸表面(7)上流動的接觸材料(8)的冷卻,所述液體來自于接觸材料由于在斷路期間電弧的集中效應(yīng)而產(chǎn)生的熔化。
2.如權(quán)利要求1所述的真空盒,其特征在于,這些第一裝置包括稱為第二裝置的裝置,用于增大觸點(diǎn)(各觸點(diǎn))(4、5)和上述的液體之間的接觸表面(7),以便產(chǎn)生對電弧不可見但液體可接觸的表面(22)。
3.如權(quán)利要求2所述的真空盒,其特征在于,這些第二裝置包括至少一個(gè)狹縫(10),其在一個(gè)或每個(gè)觸點(diǎn)(4、5)內(nèi)形成,并且被布置成接收上述液體并有助于其流動。
4.如權(quán)利要求3所述的真空盒,其特征在于,這些第二裝置包括幾個(gè)狹縫(10),它們都圍繞觸點(diǎn)(各觸點(diǎn))(4、5)布置,所述狹縫從靠近起弧觸點(diǎn)(4、5)的中間部分(11)徑向延伸到觸點(diǎn)的周邊(12)。
5.如權(quán)利要求3或4所述的真空盒,其特征在于,每個(gè)狹縫(10)在一平面內(nèi)延伸,該平面與觸點(diǎn)(4、5)的接觸表面(7)的平面P形成10°到80°的角度β。
6.如權(quán)利要求2所述的真空盒,其特征在于,這些第二裝置包括至少一個(gè)槽(13),該槽被設(shè)計(jì)成接收上述的液體并且徑向延伸入觸點(diǎn)(4、5)內(nèi)側(cè),從靠近觸點(diǎn)(4、5)的中間部分(11)直到觸點(diǎn)的周邊(12)。
7.如權(quán)利要求2所述的真空盒,其特征在于,這些第二裝置包括至少一個(gè)小孔,其在一個(gè)或每個(gè)觸點(diǎn)(4、5)內(nèi)形成,所述小孔連接這個(gè)(或每個(gè))觸點(diǎn)的上表面和下表面,并且具有小于電弧直徑的直徑。
8.如權(quán)利要求2所述的真空盒,其特征在于,這些第二裝置包括至少一個(gè)第一小孔(14),其設(shè)置在一個(gè)或每個(gè)觸點(diǎn)(4、5)的中間,并且提供了到設(shè)置在所述(或每個(gè))觸點(diǎn)(4、5)的桿部(16)內(nèi)的圓柱形第二小孔(15)的通道,小孔的直徑小于電弧的直徑。
9.如權(quán)利要求1到8中任一項(xiàng)所述的真空盒,其特征在于,這些第一裝置包括稱為第三裝置的裝置,用于增加液體的流動速度。
10.如權(quán)利要求2和9所述的真空盒,其特征在于,第二裝置包括如權(quán)利要求3或4所述的狹縫(10),根據(jù)這些第三裝置,液體初始流動方向和液體進(jìn)入狹縫的方向之間形成的角度α小于或等于90°。
11.如權(quán)利要求9或10所述的真空盒,其特征在于,這些第三裝置包括用于產(chǎn)生軸向磁場的裝置,該磁場的方向?yàn)檠鬲M槽(10)的入口方向推動液體。
12.如上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的真空盒,其特征在于,起弧觸點(diǎn)(4、5)的接觸表面(7)被拋光,以便利于液體的流動。
13.如上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的真空盒,其特征在于,它另外包括用于細(xì)分電弧的裝置(19),以便產(chǎn)生多個(gè)熱源。
14.如上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的真空盒,其特征在于,用于產(chǎn)生軸向磁場的裝置為用于在局限于電弧所處位置的地方產(chǎn)生磁場的裝置(20),該磁場用于散布電弧。
15.如權(quán)利要求2所述的真空盒,其特征在于,根據(jù)這些第二裝置,一個(gè)或每個(gè)起弧觸點(diǎn)(4、5)為中空的,并且包括在其接觸表面(7)內(nèi)的小孔(17),提供了到觸點(diǎn)相反表面(18)的通道,該相反的表面(18)從而參與冷卻,觸點(diǎn)(4、5)的供電通過觸點(diǎn)的周邊(12)進(jìn)行。
16.如權(quán)利要求15所述的真空盒,其特征在于,觸點(diǎn)的邊緣被切割,形成線圈,該線圈被設(shè)計(jì)成產(chǎn)生上述的用于散布電弧的軸向磁場。
17.如權(quán)利要求7、8或15所述的真空盒,其特征在于,小孔(14、17)的直徑在觸點(diǎn)(4、5)的外徑的0.1到0.3倍之間。
18.如權(quán)利要求7和13所述的真空盒,其特征在于,產(chǎn)生的軸向散布磁場為多極磁場,并且一個(gè)或每個(gè)觸點(diǎn)(4、5)包括同極性一樣多的小孔(19)。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于施耐德電器工業(yè)公司,未經(jīng)施耐德電器工業(yè)公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/01117032.8/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





