[發明專利]用于光學儲存介質反射層或半反射層的金屬合金有效

申請號：	01116999.0	申請日：	2001-05-23
公開（公告）號：	CN1336654A	公開（公告）日：	2002-02-20
發明（設計）人：	H·尼	申請（專利權）人：	目標技術有限公司
主分類號：	G11B7/24	分類號：	G11B7/24;C22C5/06;B32B33/00
代理公司：	中國專利代理(香港)有限公司	代理人：	吳大建,羅才希
地址：	美國加利***	國省代碼：	暫無信息
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摘要：
搜索關鍵詞：	用于光學儲存介質反射層金屬合金
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【權利要求書】：

1.一種光儲存介質，該介質包括：

在至少一個主要表面上具有特征花紋的第一層；和

與第一層相鄰的第一涂層，此第一涂層包括第一金屬合金；其中第一金屬合金包括銀和鋅；??而且其中銀和鋅數量之間關系定義為Ag_xZn_y時，0.85＜x＜0.9999，而0.0001＜y＜0.15。

2.如權利要求1的介質，而且其中0.001≤y≤0.10。

3.如權利要求1的介質，其中所述第一涂層直接接觸所述第一金屬合金。

4.如權利要求1的介質，該介質進一步包括：

在至少一個主要表面上具有特征花紋的第二層；和

與第二層相鄰的第二涂層。

5.如權利要求1的介質，該介質進一步包括：

在至少一個主要表面上具有特征花紋的第二層，此第二層包括一種介電材料；

在至少一個主要表面上具有特征花紋的第三層，此第三層包括一種光學可重新記錄材料；和

在至少一個主要表面上具有特征花紋的第四層，此第四層包括一種介電材料。

6.如權利要求5的介質，其中光學可重新記錄材料是一種可相變材料。

7.如權利要求6的介質，其中光學可重新記錄材料進一步包括選自下面的可相變材料：Ge-Sb-Te、As-In-Sb-Te、Cr-Ge-Sb-Te、As-Te-Ge、Te-Ge-Sn、Te-Ge-Sn-O、Te-Se、Sn-Te-Se、Te-Ge-Sn-Au、Ge-Sb-Te、Sb-Te-Se、In-Se-Tl、In-Sb、In-Sb-Se、In-Se-Tl-Co和Si-Te-Sn。

8.如權利要求5的介質，其中光學可重新記錄材料是一種磁-光材料。

9.如權利要求8的介質，其中光學可重新記錄材料進一步包括選自Tb-Fe-Co和Gd-Tb-Fe的磁-光材料。

10.如權利要求1的介質，其中第一金屬合金包括鎘，其含量是大約0.01a/o百分數～大約20.0a/o百分數銀的存在量。

11.如權利要求1的介質，其中第一金屬合金包括鋰，其含量是大約0.01a/o百分數～大約10.0a/o百分數銀的存在量。

12.如權利要求1的介質，其中第一金屬合金包括錳，其含量是大約0.01a/o百分數～大約7.5a/o百分數銀的存在量。

13.如權利要求1的介質，其中第一金屬合金包括選自金、銠、銅、釕、鋨、銥、鉑和鈀以及它們的混合物的金屬，其中此金屬含量是大約0.01a/o百分數～大約5.0a/o百分數銀的存在量。

14.如權利要求1的介質，其中第一金屬合金包括選自鈦、鎳、銦、鉻、鍺、錫、銻、鎵、硅、硼、鋯、鉬和它們的混合物的金屬，其中此金屬含量是大約0.01a/o百分數～大約5.0a/o百分數銀的存在量。

15.一種光儲存介質，該介質包括：

在至少一個主要表面上具有特征花紋的第一層；和

與第一層相鄰的第一涂層，此第一涂層包括第一金屬合金；其中第一金屬合金包括銀和鋁；而且其中銀和鋁數量之間關系定義為Ag_xAl_z時，0.95＜x＜0.9999，而0.0001＜z＜0.05。

16.如權利要求15的介質，而且其中0.001≤z≤0.03。

17.如權利要求15的介質，其中所述第一涂層直接接觸所述第一金屬合金。