[發明專利]用于微調集成電路的電路和方法有效
| 申請號: | 01116886.2 | 申請日: | 2001-01-22 |
| 公開(公告)號: | CN1349251A | 公開(公告)日: | 2002-05-15 |
| 發明(設計)人: | 尤-玉·夏;索林·勞倫丘·內格魯 | 申請(專利權)人: | 02細微國際股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66;H01L21/70 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 | 代理人: | 韓宏 |
| 地址: | 開曼群*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 微調 集成電路 電路 方法 | ||
1.一種用于集成電路的可編程的封裝后的在芯片上的參考電壓的微調電路,所述的可編程的微調電路包括:一寄存器,被控制以生成以測試位信號序列和一設定位信號序列;選擇地耦合到所述寄存器的多個可編程微調單元,每個所述單元接收來自所述寄存器的測試位信號和設定位信號,所述微調單元適于產生等于分別供給每個微調單元的所述測試位信號或所述設定位信號的輸出信號;和數模轉換器(DAC)電路,它耦合到所述輸出信號,并產生與所述輸出信號成正比的微調電流信號;電阻器R0,把微調電流轉換成微調電壓信號,所述微調電壓要加到所述IC產生的參考電壓的初始值上。
2.按權利要求1的微調電路,所述微調電路還包括:隔離微調單元,可用位于所述寄存器與所述微調單元電路之間的多個轉移開關操作,并接收來自所述寄存器的所述測試位信號和設定位信號,并將所述測試位信號和設定位信號供給所述微調單元;由所述隔離微調單元控制的所述轉移開關在分別接收到來自寄存器的開啟位或閉合位時使所述寄存器耦合到或不耦合到所述微調單元電路。
3.按權利要求1的微調電路,其中,每個微調單元電路包括:
“或”門,具有第一輸入端和第二輸入端,所述第二輸入端選擇地耦合到所述測試位信號;和
設定電路部分,包括具有選擇地耦合到所述設定位信號的控制節點和傳導節點的第一開關;具有耦合到所述第一開關的所述傳導節點的控制節點,耦合到所述IC供給的公共電壓干線的活動節點和耦合到所述“或”門的所述第一輸入端的傳導節點的第二開關;和與所述第二開關并聯且連接到所述“或”門的所述第一輸入端和所述電壓干線的標稱電流源;和耦合在所述IC供給的地電位干線與所述“或”門的第一輸入端之間的熔絲;其中,所述設定位信號控制所述第一和第二開關的傳導狀態,和所述“或”門的所述第一輸入端的輸入值。
4.按權利要求3的微調電路,其中,若所述設定位是高,則第一和第二開關都導通,并在所述電壓干線與地之間經所述熔絲建立起導電路徑,使所述熔絲燒斷,所述電壓干線永久耦合到所述“或”門的所述第一輸入端;其中,若所述設定位是低,所述第一和第二開關都不導通,所述熔絲保持原封不動,所述電壓干線與地之間經所述熔絲和所述電流源建立導電路徑,從而產生一低輸入給所述“或”門的所述第一輸入端。
5.按權利要求2的微調電路,其中,所述隔離微調單元包括:
反相器電路,具有一輸入端和耦合到所述隔離開關的一控制節點的輸出端,并提供給該控制節點一信號以確定所述隔離開關的傳導狀態;和
隔離電路部分,包括:第一開關,具有選擇地耦合到所述寄存器產生的隔離位信號的一控制節點和一傳導節點;第二開關,具有耦合到所述第一開關的所述傳導節點的一控制節點,耦合到所述IC供給的公共電壓干線的活動節點,和耦合到所述反相器電路的所述輸入端的一傳導節點;和一標稱電流源,它與所述第二開關并聯,連接到所述反相器電路的所述輸入端和所述電壓干線;和一熔絲,它耦合在所述IC供給的地電位干線與所述反相器電路的所述輸入端之間;其中,所述隔離位信號控制所述第一和第二開關的導通狀態,并控制所述反相器電路的所述輸入端的輸入值。
6.按權利要求5的微調電路,其中,若所述隔離位信號是低,則所述反相器的輸出是高;若所述隔離位信號是高,則所述第一和第二開關均導通,并在所述電壓干線與地之間經所述熔絲建立導電路徑,引起所述熔絲燒斷,所述電壓干線永久耦合到所述反相器電路的所述輸入,由此,永久產生從所述反相器來的低輸出值,使所述隔離開關處于不導通狀態,使所述寄存器從所述微調單元隔開。
7.按權利要求1的微調電路,還包括:總線控制器,控制所述寄存器,以產生所述設定位信號和所述測試位信號。
8.按權利要求3的微調電路,其中,所述微調單元電路之一包括一符號單元電路,其被提供指示所述控制信號的一設定和測試位,并產生一位值給所述DAC指示所述微調電流的一期望符號。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





