[發(fā)明專利]熒光體薄膜、其制造方法和EL面板有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 01116810.2 | 申請(qǐng)日: | 2001-04-17 |
| 公開(公告)號(hào): | CN1318616A | 公開(公告)日: | 2001-10-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 矢野義彥 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | TDK株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | C09K11/77 | 分類號(hào): | C09K11/77;G09F9/00 |
| 代理公司: | 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 | 代理人: | 王以平 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 熒光 薄膜 制造 方法 el 面板 | ||
本發(fā)明涉及在無(wú)機(jī)EL器件中使用的硫化物發(fā)光層,特別是涉及可以在發(fā)光層中使用的熒光體薄膜和使用該薄膜的EL面板。
近些年來(lái),作為小型或大型重量輕的平板顯示器,人們正在積極地研究薄膜EL器件。使用由發(fā)橙黃色光的摻錳硫化鋅構(gòu)成的熒光體薄膜的單色薄膜EL顯示器,使用圖2所示的那樣的薄膜的絕緣層2、4的雙層絕緣型構(gòu)造,已經(jīng)實(shí)用化。在圖2中,在基板1上形成了規(guī)定圖形的下部電極5,在該下部電極5上形成了第1絕緣層2。此外,在該第1絕緣層2上在依次形成發(fā)光層3、第2絕緣層4的同時(shí),在第2絕緣層4上以構(gòu)成上述下部電極5和矩陣電路的方式用規(guī)定的圖形形成上部電極6。
此外,作為顯示器,為了應(yīng)對(duì)個(gè)人電腦用、TV用、和其它的顯示用,彩色化是必不可缺的。使用硫化物熒光體薄膜的薄膜EL顯示器,可靠性、耐環(huán)境性是優(yōu)良的,但目前,由于發(fā)紅、綠、藍(lán)三原色EL用熒光體的特性還不充分,故作為彩色用被認(rèn)為還不適當(dāng)。發(fā)藍(lán)色光的熒光體,作為母體材料候選者是SrS,作為發(fā)光中心候選者是使用Ce的SrS∶Ce或ZnS∶Tm,作為發(fā)紅色光的熒光體候選者是ZnS∶Sm、CaS∶Eu,作為發(fā)綠色光的熒光體候選者是ZnS∶Tb、CaS∶Ce等,人們正在繼續(xù)進(jìn)行研究。
這些發(fā)紅、綠、藍(lán)三原色的光的熒光體薄膜,在效率、顏色純度方面還存在著問(wèn)題,現(xiàn)在尚未達(dá)到彩色EL面板的實(shí)用化階段。特別是藍(lán)色,雖然使用SrS∶Ce可以得到比較高的輝度,但是作為全色彩顯示器用的藍(lán)色,由于輝度不足,色度也偏移到綠色一側(cè),故人們希望開發(fā)一種更好的藍(lán)色發(fā)光層。
為了解決這些課題,就如在日本專利特開平7-122364號(hào)公報(bào)、特開平8-134440號(hào)公報(bào)、信學(xué)技報(bào)EID98-113,19-34頁(yè)、和Jpn.J.Appl.Phys.Vol.38,(1999)PP.L1291-1292中所述的那樣,人們開發(fā)出了SrGa2S4∶Ce、CaGa2S4∶Ce或BaAl2S4∶Eu等的硫化物或硫鋁化物系的藍(lán)色熒光體。這些,在硫鎵化物系熒光體中,雖然在顏色純度方面沒(méi)有問(wèn)題,但是輝度低,特別是由于是多元素組分,故難于得到組分均勻的薄膜。人們認(rèn)為歸因于組分控制性不好而產(chǎn)生的結(jié)晶性不好、由離子缺位產(chǎn)生的缺陷和雜質(zhì)的混入等,得不到高品質(zhì)的薄膜,因而輝度也不能提高。特別是硫鋁化物,在組分控制性方面困難極大。
硫鋁化物系的薄膜的制作,就如在特開平8-134440號(hào)公報(bào)中所公開的那樣,要先制作例如與要得到的BaAl2S4∶Al2S4∶Eu薄膜相同的組分的靶,然后用濺射法得到發(fā)光層的方法。就如在Jpn.J.Appl.Phys.Vol.38,(1999)PP.L1291-1292中所述的那樣,要先制作BaS∶Eu和Al2S3兩個(gè)小片,然后用雙源脈沖電子束蒸鍍法得到BaAl2S4∶Eu的方法。
此外,在特開平7-122364號(hào)公報(bào)中,作為得到SrIn2S4∶Eu發(fā)光層的方法,講述了這樣的方法:用MBE法,在導(dǎo)入了H2S氣體的真空槽內(nèi)以In金屬和EuCl3為源進(jìn)行蒸鍍,在基板上形成SrIn2S4∶Eu發(fā)光層的方法。但是,若用該方法,要對(duì)母體材料(SrIn2S4)的金屬和發(fā)光中心物質(zhì)(Eu)的各自的源進(jìn)行控制,正確地控制發(fā)光中心的量是極其困難的。例如,把Sr和In的摩爾比控制為1∶1,使之發(fā)生用H2S進(jìn)行的硫化反應(yīng),而且,把Eu與母體材料之間的摩爾比作成為99.5∶0.1,且使Ce的0.1的量的不均勻性作成為5%以下,用目前的蒸鍍工藝近乎是不可能。順便說(shuō)一下,在可以作為L(zhǎng)SI的電極使用的Al電極的情況下,蒸鍍?cè)淳退闶潜容^穩(wěn)定,蒸鍍工藝中的Al薄膜的膜厚的不均勻性也大約為5%。由此可知,要把Eu的濃度控制到5%以下是極其困難的。
另一方面,對(duì)于藍(lán)色以外的紅、綠的EL薄膜來(lái)說(shuō),紅色發(fā)光熒光體ZnS∶Sm、CaS∶Eu,綠色發(fā)光熒光體ZnS∶Tb、CaS∶Ce等,先制作各自的組分的靶,然后用濺射法或EB(電子束)蒸鍍法,就可以得到輝度比較高地發(fā)光的熒光體薄膜。
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