[發明專利]用于集成電路的具有墊緣強化結構的接線墊

無效

• 申請號: 01116637.1
• 申請日: 2001-04-17
• 公開（公告）號: CN1381888A
• 公開（公告）日: 2002-11-27
• 發明（設計）人: 林錫聰;陳慶宗
• 申請（專利權）人: 華邦電子股份有限公司
• 主分類號: H01L23/50
• 分類號: H01L23/50;H01L21/48;H01L21/60;H05K1/00
• 代理公司: 上海專利商標事務所
• 代理人: 任永武

1.一種用于集成電路的接線墊，其特征在于，它包括：

一層迭結構，它包含一金屬接線墊層、一中間介電層及形成于一芯片表面的一底層，所述中間介電層形成于所述底層之上，所述金屬接線墊層至少部份形成于所述中間介電層之上；以及

一防護帶結構，它緊鄰于所述金屬接線墊層形成，并與所述金屬接線墊層至少一部份相隔開；

其中，所述防護帶結構包括至少一個形成在所述中間介電層之上的帶組件以及連接所述帶組件至所述底層的一孔填充物。

2.如權利要求1所述的接線墊，其特征在于，所述底層為金屬層、復晶硅層或與所述孔填充物有良好附著力的介電層。

3.如權利要求1所述的接線墊，其特征在于，所述底層為一復晶硅層。

4.如權利要求1所述的接線墊，其特征在于，它還包括一固定結構，它形成于連接于所述金屬接線墊層及所述底層之間的所述中間介電層內部。

5.如權利要求1所述的接線墊，其特征在于，所述金屬接線墊層包括一通道結構，它形成于與所述底層直接接觸的所述中間介電層之中。

6.如權利要求1所述的接線墊，其特征在于，所述帶組件包括至少一個沿著所述金屬接線墊的一個或多個邊緣形成的延長組件。

7.如權利要求6所述的接線墊，其特征在于，所述帶組件與所述金屬接線墊的相對邊緣分別具有相匹配的齒形或迷宮狀結合結構。

8.如權利要求6所述的接線墊，其特征在于，所述帶組件與所述金屬接線墊的相對邊緣具有一連鎖結合結構。

9.如權利要求6所述的接線墊，其包含數個孔填充物，用來連接所述帶組件與所述底層。

10.如權利要求6所述的接線墊，其特征在于，所述底層包含與所述孔填充物接觸的第一部份，以及不與所述孔填充物接觸的第二部份。

11.如權利要求6所述的接線墊，其特征在于，所述金屬接線墊層包括一通道結構，它形成于與所述底層直接接觸的所述中間介電層之中，所述接線墊還包括位于所述通道結構的頂部及形成在所述中間介電層之上的上介電層的鄰接區域的一上金屬層。

12.如權利要求11所述的接線墊，其特征在于，所述孔填充物為一鎢插塞。

13.如權利要求11所述的接線墊，其特征在于，所述孔填充物是用與所述帶組件相同的材料制成且與所述帶組件同時形成。

14.一種制造用于集成電路的接線墊的方法，其特征在于，它包括以下步驟：

形成一底層于一芯片之上；

形成一中間介電層于所述底層的頂部，其中，所述中間介電層包括至少一個第一穿透孔，它接近并與用于形成一金屬接線墊層的一區域相隔開；

填充所述至少一個第一穿透孔，并且同時或依序形成所述金屬接線墊層及至少一個帶組件于所述中間介電層之上，其中，所述至少一個帶組件位于至少一個對應所述填充的第一穿透孔之上并與其接觸，使所述至少一個帶組件與所述底層連接。

15.如權利要求14所述的方法，其特征在于，所述底層為金屬層、復晶硅層或與用來填充所述第一穿透孔的材料有良好附著性的介電層。

16.如權利要求14所述的方法，其特征在于，所述底層為復晶硅層。

17.如權利要求14所述的方法，其特征在于，它還包括形成一固定結構于所述中間介電層內的步驟，所述固定結構連接所述金屬接線墊層及所述底層。

18.如權利要求14所述的方法，其特征在于，所述金屬接線墊層包括一于所述中間介電層之中的通道結構，所述通道位于所述金屬接線墊之下并連接所述金屬接線墊層與所述底層。

19.如權利要求14所述的方法，其特征在于，所述帶組件包括至少一個沿著所述金屬接線墊的一個或多個邊緣形成的延長組件。

20.如權利要求14所述的方法，其特征在于，所述帶組件與所述金屬接線墊的相對邊緣分別具有相匹配的齒形或迷宮狀結合結構。

21.如權利要求14所述的方法，其特征在于，所述帶組件及所述金屬接線墊的相對邊緣包含一連鎖結合結構。