[發明專利]半導體器件及其制造方法、電路板和電子裝置

有效

• 申請號: 01116596.0
• 申請日: 2001-02-28
• 公開（公告）號: CN1311528A
• 公開（公告）日: 2001-09-05
• 發明（設計）人: 橋元伸晃;花岡輝直
• 申請（專利權）人: 精工愛普生株式會社
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/28;H01L21/60;H01L23/48
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 王岳,葉愷東

本發明涉及半導體器件及其制造方法、電路板和電子裝置。

近年來，正在開發疊置多個半導體芯片的半導體器件。大多采用將導線或引線鍵合在半導體芯片的電極上來實現電連接，但由于設置導線等，所以對小型化有限制。

此外，正在開發在半導體芯片上形成貫通孔，在貫通孔中填充焊錫，并且形成凸起，從而實現上下半導體芯片之間的電連接。這樣一來，在層疊的半導體芯片之間，形成與凸起的高度相當的間隙，所以在薄形化方面有限制。

本發明是解決該問題的發明，其目的在于提供可以小型化和薄形化的半導體器件及其制造方法、電路板和電子裝置。

(1)本發明的半導體器件的制造方法包括：在形成半導體元件的電極的表面上，形成與所述電極電連接的導電層的步驟；

避開所述電極的上面，在所述導電層上形成第1電氣連接部的步驟；以及

在所述半導體元件上形成孔，使得所述導電層的所述半導體元件側的一部分表面作為第2電氣連接部而露出的步驟。

根據本發明，將第2電氣連接部形成在半導體元件的孔的內部。因此，由于使其它部件的電氣連接部進入到半導體元件來實現電連接，所以可以將半導體元件和其它部件之間的間隔變窄，可以小型化和薄形化。

(2)在本半導體器件的制造方法中，可以形成所述孔，使得所述第2電氣連接部占有的區域和所述第1電氣連接部占有的區域的至少一部分可平面重疊。

(3)在本半導體器件的制造方法中，將所述電極形成為環狀，覆蓋所述電極的中央開口部并形成所述導電層，在與所述中央開口部對應的區域內形成所述孔。

(4)本發明的半導體器件的制造方法包括：在形成所述半導體元件電極的表面上，形成與所述電極電連接的第1導電層的步驟；

在所述第1導電層上形成第1電氣連接部的步驟；

在所述半導體元件上形成所述孔，使得所述電極的所述半導體元件側的一部分表面露出的步驟；以及

將與所述電極電連接的、作為第2電氣連接部的第2導電層形成在所述孔的內部的步驟。

根據本發明，將第2電氣連接部形成在半導體元件的孔的內部。因此，由于使其它部件的電氣連接部進入到半導體元件來實現電連接，所以可以將半導體元件和其它部件之間的間隔變窄，可以小型化和薄形化。

(5)在本半導體器件的制造方法中，形成所述孔，使得所述第2電氣連接部占有的區域平面地包括所述第1電氣連接部占有的區域。

(6)在本半導體器件的制造方法中，在形成所述第1和第2電氣連接部后，從形成所述電極面的背面研磨薄化所述半導體元件。

(7)在本半導體器件的制造方法中，作為所述第1電氣連接部，也可以形成凸起。

(8)在本半導體器件的制造方法中，也可以預先形成比所述孔直徑小的小孔，并擴大所述小孔來形成所述孔。

這樣一來，可以用比形成孔小的能量來形成小孔，通過先形成小孔即可減小形成孔時的能量。

(9)在本半導體器件的制造方法中，用激光束來形成所述小孔，通過濕式腐蝕來擴大所述小孔也可以。

如果這樣，可以容易地形成孔。此外，即使用激光形成的小孔的內壁表面粗糙，由于通過濕式腐蝕來擴大，所以可以形成光滑的內壁表面的孔。

(10)在本半導體器件的制造方法中，所述半導體元件可以是半導體芯片。

(11)在本半導體器件的制造方法中，所述半導體元件是半導體晶片的一部分，對所述半導體晶片進行所述步驟。

(12)本發明的疊置型的半導體器件的制造方法是層疊多個按上述方法制造的半導體器件的疊置型的半導體器件制造方法，包括：

在多個所述半導體器件中，將第1半導體器件的所述第1電氣連接部和層疊在所述第1半導體器件上的第2半導體器件的所述第2電氣連接部進行電連接的步驟。

在本半導體器件的制造方法中應用三維安裝。

(13)在本半導體器件的制造方法中，與所述第1半導體器件的所述第1電氣連接部相比，所述第2半導體器件的所述孔形成得大。

這樣一來，可以避免第1半導體器件的第1電氣連接部和第2半導體元件的內部電路之間的短路。

(14)本發明的半導體器件包括：半導體元件；

形成在所述半導體元件的形成電極的表面上、與所述電極電連接的導電層；以及

避開所述電極上面，形成在所述導電層上的第1電氣連接部；

所述半導體元件形成孔，使得所述導電層的所述半導體元件側的一部分表面作為第2電氣連接部而露出。