[發明專利]非還原性介電陶瓷,其制造方法和用該陶瓷的單塊電容器無效
| 申請號： | 01116312.7 | 申請日： | 2001-04-05 |
| 公開（公告）號： | CN1317457A | 公開（公告）日： | 2001-10-17 |
| 發明（設計）人： | 元木智雄;內藤正浩;佐野晴信 | 申請（專利權）人： | 株式會社村田制作所 |
| 主分類號： | C04B35/46 | 分類號： | C04B35/46;C04B35/49;H01B3/12;H01G4/12 |
| 代理公司： | 上海專利商標事務所 | 代理人： | 朱黎明 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 原性 陶瓷 制造 方法 電容器 | ||
1．一種非還原性介電陶瓷，它包括Ca、Zr和Ti作為金屬元素，并且不含鉛；
其中，在CuKαX射線衍射圖中，在2θ=25-35°時次要晶相的最高峰強度與鈣鈦礦主要晶相的最高峰強度之比為12％或更小，所述次要晶相包括除鈣鈦礦主要晶相以外的全部晶相。
2．一種單塊陶瓷電容器，它包括：
多層介電陶瓷層；
在介電陶瓷層之間的內電極；以及
與內電極電連接的外電極；
其中介電陶瓷層包括如權利要求1所述的非還原性介電陶瓷，內電極包括賤金屬。
3．如權利要求2所述的單塊陶瓷電容器，其特征在于所述賤金屬是選自元素鎳、鎳合金、元素銅或銅合金中的至少一種。
4．一種非還原性介電陶瓷的制造方法，所述介電陶瓷含有Ca、Zr和Ti作為金屬元素并且不含鉛，在CuKαX射線衍射圖中，在2θ=25-35°時次要晶相的最高峰強度與鈣鈦礦主要晶相的最高峰強度之比為12％或更小，所述次要晶相包括除鈣鈦礦主要晶相以外的全部晶相，所述方法包括下列步驟：
(A)焙燒一種未焙燒的B晶格組分粉末，制得焙燒的B晶格組分粉末，其中介電陶瓷用通式ABO3表示；
(B)由A晶格組分材料制得A晶格組分粉末；
(C)將B晶格組分粉末與A晶格組分粉末混合在一起制得未焙燒的主要材料粉末；
(D)將未焙燒的主要材料粉末焙燒成焙燒的主要材料粉末；
(E)將至少一種A晶格組分粉末和B晶格組分粉末加至該焙燒的主要材料粉末中，以細微地調節焙燒的主要材料粉末的組成，制得次級材料粉末；和
(F)模塑并在中性或還原性氣氛中燒制該次級材料粉末。
5．如權利要求4所述的非還原性介電陶瓷的制造方法，其特征在于焙燒前B晶格組分粉末的平均粒徑為0.5微米或更小。
6．如權利要求4所述的非還原性介電陶瓷的制造方法，其特征在于未焙燒的B晶格組分粉末在1050-1200℃焙燒1-2小時。
7．如權利要求4所述的非還原性介電陶瓷的制造方法，其特征在于焙燒的主要材料粉末的平均粒徑為0.8微米或更小。
8．如權利要求4所述的非還原性介電陶瓷的制造方法，其特征在于焙燒的主要材料粉末是通式為(Ca1-v-wSrvBaw)k(Zr1-x-yTixHfy)O3的陶瓷粉末，其中0.95≤k＜1.00。
9．如權利要求8所述的非還原性介電陶瓷的制造方法，其特征在于次級材料粉末是通式為(Ca1-v-wSrvBaw)p(Zr1-x-yTixHfy)O3的陶瓷粉末，其中0.98≤p＜1.02。
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