[發(fā)明專利]半導(dǎo)體金屬內(nèi)連線的制造方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 01116180.9
• 申請(qǐng)日: 2001-05-25
• 公開（公告）號(hào): CN1388573A
• 公開（公告）日: 2003-01-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 歐陽(yáng)允亮;黃昭元
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 矽統(tǒng)科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/768
• 分類號(hào): H01L21/768;H01L21/283;H01L21/31;H01L21/3205
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 劉朝華

1、一種半導(dǎo)體金屬內(nèi)連線的制造方法，其特征在于：它包括下列步驟：

(1)提供一包含導(dǎo)電區(qū)域的半導(dǎo)體基底，該導(dǎo)電區(qū)域具有金屬線及孔洞；

(2)于該半導(dǎo)體基底的表面上順應(yīng)性地形成一鈦金屬層；

(3)以化學(xué)氣相沉積法于該鈦金屬層表面上順應(yīng)性地形成第一氮化鈦層；

(4)以物理氣相沉積法于該第一氮化鈦層表面上順應(yīng)性地形成第二氮化鈦層。

2、如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體金屬內(nèi)連線的制造方法，其特征在于：包含全面地于該半導(dǎo)體基底表面形成一二氧化硅層。

3、如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體金屬內(nèi)連線的制造方法，其特征在于：該導(dǎo)電區(qū)域包含源極/汲極。

4、一種半導(dǎo)體金屬內(nèi)連線的制造方法，其特征在于：它包括下列步驟：

(1)提供一包含導(dǎo)電區(qū)域的半導(dǎo)體基底，該導(dǎo)電區(qū)域具有金屬線及孔洞；

(2)于該導(dǎo)體基底的表面順應(yīng)性地形成一鈦金屬層；

(3)以化學(xué)氣相沉積法于上述鈦金屬層表面順應(yīng)性地形成第一氮化鈦層；

(4)以物理氣相沉積法于上述第一氮化鈦層表面順應(yīng)性地形成第二氮化鈦層；

(5)于該第二氮化鈦層表面全面性形成一鎢層，并填滿所述孔洞。

5、如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體金屬內(nèi)連線的制造方法，其特征在于：更包含全面地于該半導(dǎo)體基底表面形成二氧化硅層。

6、如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體金屬內(nèi)連線的制造方法，其特征在于：該導(dǎo)電區(qū)域包含源極/汲極。

7、如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體金屬內(nèi)連線的制造方法，其特征在于：該鎢層是使用六氟化鎢與硅甲烷做為反應(yīng)氣體。

8、如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體金屬內(nèi)連線的制造方法，其特征在于：該鎢層是使用六氟化鎢與氯硅甲烷為反應(yīng)氣體。

9、如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體金屬內(nèi)連線的制造方法，其特征在于：該鎢層是使用六氟化鎢與氫氣為反應(yīng)氣體。