[發明專利]用于抗蝕劑流動工藝的光致抗蝕劑組合物以及使用所述組合物形成接觸孔的方法

無效

• 申請號: 01115325.3
• 申請日: 2001-04-19
• 公開（公告）號: CN1318773A
• 公開（公告）日: 2001-10-24
• 發明（設計）人: 金珍秀;鄭載昌;李根守;白基鎬
• 申請（專利權）人: 現代電子產業株式會社
• 主分類號: G03F7/027
• 分類號: G03F7/027
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 王維玉,丁業平

1．一種光致抗蝕劑組合物，其包括光致抗蝕劑樹脂、光酸生成劑和有機溶劑，其中，所述光致抗蝕劑樹脂包括：

(a)含有如下式化合物的第一共聚物：?????1其中，R₁為H；(C₁-C₁₀)烷基或芳基；以及

a∶b的比例為20～80mol％∶80～20mol％；以及(b)含有如下式化合物的第二共聚物??????2

其中，R₂為酸不穩定保護基團；以及

??????c∶d∶e的比例為30～70mol％∶28～50mol％∶2～15mol％。

2．如權利要求1所述的光致抗蝕劑組合物，其中，所述光致抗蝕劑組合物用于光致抗蝕劑流動工藝。

3．如權利要求1所述的光致抗蝕劑組合物，其中，所述酸不穩定保護基團選自叔丁基、四氫吡喃-2-基、2-甲基四氫吡喃-2-基、四氫呋喃-2-基、2-甲基四氫呋喃-2-基、1-甲氧基丙基、1-甲氧基-1-甲基乙基、1-乙氧基丙基、1-乙氧基-1-甲基乙基、1-甲氧基乙基、1-乙氧基乙基、1-叔-丁氧基乙基、1-異丁氧基乙基和2-acetylmenth-1-基。

4．如權利要求1所述光致抗蝕劑組合物，其中，所述第一共聚物具有下式：???????1a其中：R₁為CH₃；以及

a∶b的比例為20～80mol％∶80～20mol％以及所述具有下式的第二共聚物：???????2a

其中，R₂為叔丁基；以及

??????c∶d∶e的比例為30～70mol％∶28～50mol％∶2～15mol％。

5．如權利要求1所述的光致抗蝕劑組合物，其中，所述第一共聚物與所述第二共聚物的比例為20～80％重量：20～80％重量。

6．如權利要求1所述的光致抗蝕劑組合物，其中，所述光酸生成劑選自碘化二苯基六氟代磷酸酯、碘化二苯基碘代六氟代砷酸酯，碘化二苯基六氟化銻酸酯、二苯基對甲氧基苯基triflate、二苯基對-甲苯基triflate、二苯基對-異丁苯基triflate、二苯基對叔丁苯基triflate、三苯基锍六氟代磷酸酯、三苯基锍六氟代砷酸酯、三苯基锍六氟代銻酸酯、三苯基锍triflate、二丁基萘基锍triflate、及其混合物。

7．如權利要求1所述的光致抗蝕劑組合物，其中所述光酸生成劑的含量為光致抗蝕劑樹脂重量的0.05～0.3％。

8．如權利要求1所述的光致抗蝕劑組合物，所述有機溶劑選自亞丙基乙二醇甲醚乙酸酯、乳酸乙酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-乙氧基丙酸乙酯和環己酮。

9．如權利要求1所述的光致抗蝕劑組合物，其中，所述有機溶劑的含量為光致抗蝕劑樹脂重量的400～800％。

10．一種形成光致抗蝕劑圖形的方法，包括步驟：

(a)將權利要求1所述的光致抗蝕劑組合物涂敷于半導體元件的基底上，形成光致抗蝕劑膜；

(b)采用光刻工藝形成第一光致抗蝕劑圖形；以及

(c)采用光致抗蝕劑流動工藝由所述第一光致抗蝕劑圖形生成第二光致抗蝕劑圖形。

11．如權利要求10所述的方法，其中，所述抗蝕劑流動工藝包括將所述第一抗蝕劑圖形加熱至約140到170℃的溫度范圍。

12．如權利要求10所述的方法，其中，所述第一和第二光致抗蝕劑圖形含有接觸孔圖形。

13．一種由權利要求10所述方法制備的半導體元件。