[發(fā)明專利]高Tc鐵電薄膜取向控制生長方法及鐵電存儲器原型器件無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 01113731.2 | 申請日： | 2001-06-27 |
| 公開（公告）號： | CN1379460A | 公開（公告）日： | 2002-11-13 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 楊彬;胡衛(wèi)生;陳延峰;劉治國;閔乃本 | 申請（專利權(quán)）人： | 南京大學(xué) |
| 主分類號： | H01L21/70 | 分類號： | H01L21/70;H01L21/00 |
| 代理公司： | 南京知識律師事務(wù)所 | 代理人： | 陳建和 |
| 地址： | 210093*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | tc 薄膜 取向 控制 生長 方法 存儲器 原型 器件 | ||
1、高TC鐵電薄膜取向控制生長方法，其特征是利用脈沖激光沉積方法(PLD)在襯底上生長高TC鐵電薄膜，生長的鐵電薄膜主要為Bi3TiNbO9(BTN)和Bi3TiTaO9(BTT)，在薄膜的生長過程中外加一個與襯底表面垂直的靜電場E，生長溫度低于Tc。
2、由權(quán)利要求1所述的高TC鐵電薄膜取向控制生長方法其特征是襯底材料是：Pt/Ti/SiO2/Si，Pt/TiO2/SiO2/Si和Si(001)。
3、由權(quán)利要求1所述的高TC鐵電薄膜取向控制生長方法，其特征是生長的鐵電薄膜材料為BiFeO3；YMnO3；ErMnO3；HoMnO3；YbMnO3，PbNbO3；Bi4Ti3O12；Ni3B7O13Cl。
4、由權(quán)利要求1所述的高TC鐵電薄膜取向控制生長方法，其特征是靜電場E為5-500V/cm。
5、由權(quán)利要求1所述的高TC鐵電薄膜取向控制生長方法，其特征是生長鐵電薄膜Bi3TiNbO9(BTN)和Bi3TiTaO9(BTT)，靜電場E為80-150V/cm。
6、高TC鐵電薄膜鐵電存儲器原型器件：其特征是在襯底材料Pt/Ti/SiO2/Si，Pt/TiO2/SiO2/Si和Si(001)上生長鐵電薄膜Bi3TiNbO9(BTN)和鉍酸鈦鉭(BTT)。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
