[發明專利]CMOS半導體器件及其制造方法

無效

• 申請號: 01112354.0
• 申請日: 2001-04-02
• 公開（公告）號: CN1320967A
• 公開（公告）日: 2001-11-07
• 發明（設計）人: 小山內潤
• 申請（專利權）人: 精工電子有限公司
• 主分類號: H01L27/092
• 分類號: H01L27/092;H01L21/8238
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 羅朋,張志醒

1．CMOS半導體器件，包括：

在一種導電類型的半導體襯底上淀積的反導電類型的半導體層；

在所述反導電類型的半導體層中形成的一種導電類型的深擴散層；

在所述反導電類型的半導體層中形成的一種導電類型的MOS晶體管，和，

在所述一種導電類型的深擴散層中形成的反導電類型的MOS晶體管。

2．CMOS半導體器件，包括：

在一種導電類型半導體襯底上形成的反導電類型的半導體層；

在所述反導電類型半導體層中形成的一種導電類型深擴散層；

在所述反導電類型半導體層中形成的低耐壓的一種導電類型MOS晶體管，在所述一種導電類型深擴散層中形成的反導電類型MOS晶體管，

用所述一種導電類型深擴散層構成其源或漏的高耐壓的一種導電類型MOS晶體管。

3．按權利要求2的CMOS半導體器件，還包括：

低耐壓的反導電類型MOS晶體管；和

高耐壓的反導電類型MOS晶體管，兩者都形成在所述的一種導電類型深擴散層中。

4．按權利要求1或2的CMOS半導體器件，其中：

所述一種導電類型半導體襯底電連接到其中形成有所述反導電類型MOS晶體管的所述一種導電類型深擴散層，和

所述反導電類型層的厚度是，半導體器件操作中，使從所述一種導電類型深擴散層延伸到所述反導電類型半導體層的耗盡層與從所述一種導電類型襯底延伸到所述反導電類型半導體層的耗盡層無關。

5．CMOS半導體器件的制造方法，包括以下步驟：

一種導電類型的半導體襯底上形成反導電類型的半導體層；

所述反導電類型的半導體層中形成一種導電類型的深擴散層；

所述反導電類型半導體層中形成一種導電類型MOS晶體管；和

所述一種導電類型深擴散層中形成反導電類型MOS晶體管。

6．CMOS半導體器件的制造方法，包括以下步驟：

一種導電類型半導體襯底上形成反導電類型半導體層，

所述反導電類型半導體層中形成一種導電類型深擴散層；

所述反導電類型半導體層中形成低耐壓的一種導電類型的MOS晶體管；

所述一種導電類型深擴散層中形成反導電類型MOS晶體管；和

所述反導電類型半導體層中用所述一種導電類型深擴散層形成高耐壓的一種導電類型的MOS晶體管的源或漏。

7．按權利要求5或6的半導體器件的制造方法，其中，用外延生長法形成所述反導電類型半導體層，有雜質濃度1×10¹⁴/cm³到5×10¹⁵/cm³厚度為20至50im。