[發明專利]半導體顯示器件及其制作方法

有效

• 申請號: 01112073.8
• 申請日: 2001-03-27
• 公開（公告）號: CN1319781A
• 公開（公告）日: 2001-10-31
• 發明（設計）人: 山崎舜平;小山潤;須澤英臣;小野幸治;荒尾達也
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: G02F1/136
• 分類號: G02F1/136
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 王勇,梁永

1．一種液晶顯示器件，包括：

制作在絕緣表面上的半導體層，所述半導體層具有溝道形成區、LDD區以及源區和漏區；

制作在所述半導體層上的柵絕緣膜；

制作在所述柵絕緣膜上的第一柵電極；

制作在所述第一柵電極上的第二柵電極；

其中所述第一柵電極沿所述溝道形成區縱向的寬度大于所述第二柵電極的寬度；

其中所述LDD區與所述第一柵電極重疊，所述柵絕緣膜夾于其間。

2．一種液晶顯示器件，包括：

制作在絕緣表面上的半導體層，所述半導體層具有溝道形成區、LDD區以及源區和漏區；

制作在所述半導體層上的柵絕緣膜；

制作在所述柵絕緣膜上的第一柵電極；

制作在所述第一柵電極上的第二柵電極；

其中所述第一柵電極沿所述溝道形成區縱向的寬度大于所述第二柵電極的寬度；

其中所述LDD區與所述第一柵電極重疊，所述柵絕緣膜夾于其間，以及

其中所述溝道形成區與所述第二柵電極重疊，所述柵絕緣膜夾于其間。

3．一種液晶顯示器件，包括：

制作在絕緣表面上的半導體層，所述半導體層具有溝道形成區、LDD區以及源區和漏區；

制作在所述半導體層上的柵絕緣膜；

制作在所述柵絕緣膜上的第一柵電極，所述第一柵電極在邊緣部分具有錐形剖面；

制作在所述第一柵電極上的第二柵電極；

其中所述第一柵電極沿所述溝道形成區縱向的寬度大于所述第二柵電極的寬度；

其中所述LDD區與所述第一柵電極重疊，所述柵絕緣膜夾于其間，

其中所述溝道形成區與所述第二柵電極重疊，所述柵絕緣膜夾于其間。

4．按照權利要求1的液晶顯示器件，其特征是其中所述LDD區是以所述第二柵電極作掩模向所述半導體層自對準摻入雜質元素而成的。

5．按照權利要求2的液晶顯示器件，其特征是其中所述LDD區是以所述第二柵電極作掩模向所述半導體層自對準摻入雜質元素而成的。

6．按照權利要求3的液晶顯示器件，其特征是其中所述LDD區是以所述第二柵電極作掩模向所述半導體層自對準摻入雜質元素而成的。

7．按照權利要求4的液晶顯示器件，其特征是其中所述LDD區含有一個區域，其所述雜質濃度梯度至少為1×10¹⁷～1×10¹⁸原子/cm³的范圍，而且隨距所述溝道形成區距離的增加而增大。

8．按照權利要求5的液晶顯示器件，其特征是其中所述LDD區含有一個區域，其所述雜質濃度梯度至少為1×10¹⁷～1×10¹⁸原子/cm³的范圍，而且隨距所述溝道形成區距離的增加而增大。

9．按照權利要求6的液晶顯示器件，其特征是其中所述LDD區含有一個區域，其所述雜質濃度梯度至少為1×10¹⁷～1×10¹⁸原子/cm³的范圍，而且隨距所述溝道形成區距離的增加而增大。

10．一種液晶顯示器件，包括：

像素TFT和驅動電路TFT，各具有：制作在絕緣表面上的半導體層；制作在所述半導體層上的柵絕緣膜；制作在所述柵絕緣膜上的第一柵電極；以及制作在所述第一柵電極上的第二柵電極；

其中所述像素TFT的所述半導體層包含：

與所述第二柵電極重疊的溝道形成區，所述柵絕緣膜夾于其間；

與所述溝道形成區接觸并與所述第一柵電極重疊的第一LDD區，所述柵絕緣膜夾于其間；

與所述第一LDD區接觸的第二LDD區；

與所述第二LDD區接觸的源區和漏區，

其中所述驅動電路TFT的半導體層包含：

與所述第二柵電極重疊的溝道形成區，所述柵絕緣膜夾于其間；

與所述溝道形成區接觸并與所述第一柵電極重疊的第三LDD區，所述柵絕緣膜夾于其間；

與所述第三LDD區接觸的源區和漏區，且

其中所述第一柵電極沿所述溝道形成區縱向的寬度大于所述第二柵電極的寬度。