[發明專利]襯底保持裝置和具備該裝置的曝光裝置

無效

• 申請號: 01111828.8
• 申請日: 2001-03-13
• 公開（公告）號: CN1313633A
• 公開（公告）日: 2001-09-19
• 發明（設計）人: 近藤誠
• 申請（專利權）人: 株式會社尼康
• 主分類號: H01L21/68
• 分類號: H01L21/68;H01L21/027;G03F7/20
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 王永剛

1．一種保持平板狀襯底的襯底保持裝置，具有：

基底構件；

多個突起狀的支持部分，其每一個頂端部分實質上都位于同一平面上而且在上述基底構件上邊被配置成三角形的網格狀，

上述襯底被載置到上述多個支持部分上。

2．權利要求1所述的襯底保持裝置，其特征是：在上述基底構件一側設置有用來吸引在上述多個支持部分上邊的上述襯底的吸引機構。

3．權利要求1所述的襯底保持裝置，其特征是：設置有

在上述基底構件上邊把上述多個支持部分圍起來那樣設置并閉合成圓環狀的突部；

吸引該突部內側的氣體的氣體吸引部分。

4．權利要求2所述的襯底保持裝置，其特征是：把上述多個支持部分配置成邊長為a[m]的正三角形的網格狀，在設把上述襯底吸引到上述基底構件一側時的單位長度的吸引力為p[N/m]，吸引上述襯底時的允許變形量為δmax[m]，上述襯底的揚氏模量為E[Pa]，上述襯底的厚度為t[m]時，上述正三角形的長度a和該吸引力p滿足以下的條件：

p^*a⁴≤18^*E^*t^3*δmax。

5．權利要求4所述的襯底保持裝置，其特征是：上述襯底是直徑為大約300mm的半導體襯底，上述正三角形的邊長a為1mm～3mm。

6．權利要求1所述的襯底保持裝置，其特征是：上述基底構件，除去上述襯底的載置面之內與上述襯底之間的接觸面不同的一部分之外，對其表面施行涂敷。

7．權利要求1所述的襯底保持裝置，其特征是：還具備連接到上述基底構件上的吸引機構，與把上述襯底載置到上述多個支持部分上邊時的吸引力比較，把上述襯底載置后的吸引力設定得弱一些。

8．一種保持平板狀襯底的襯底保持裝置，具有：

基底構件；

多個突起狀的支持部分，其每一個頂端部分實質上都位于同一平面上而且配置在上述基底構件上，

在上述支持部分的含有與上述襯底之間的接觸面的規定區域上被覆有導電性材料，

在上述規定區域之間部分地設置未被覆該導電性材料的區域。

9．權利要求8所述的襯底保持裝置，其特征是：用低膨脹系數的非導電性的材料形成上述基底構件和上述多個支持部分。

10．一種保持平板狀襯底的襯底保持裝置，具備：

具有與上述襯底接觸的頂端部分實質上位于同一平面上邊的多個突起狀的支持部分，且除去上述襯底的載置面之內與上述襯底之間的接觸面不同的一部分之外，對其表面施行涂敷的基底構件；

連接到上述基底構件上，吸引與上述襯底之間的氣體的吸引機構。

11．權利要求10所述的襯底保持裝置，其特征是：上述基底構件，用與上述表面的涂敷層不同的低熱膨脹且非導電性的材料形成。

12．一種保持平板狀襯底的襯底保持裝置，設置：

基底構件；

使得每一個的頂端部分實質上都位于同一平面上邊那樣地配置在上述基底構件上邊的多個突起狀的支持部分；

在上述基底構件上邊設置成使得把上述多個支持部分圍起來且閉合成圓環狀的突部；

吸引該突部的內側的氣體的氣體吸引部分，

與把上述襯底載置到上述多個支持部分上邊時的吸引力比較，把上述襯底載置后的吸引力設置得弱一些。

與把上述襯底載置到上述多個支持部分上邊時的吸引力比較，把上述襯底載置后的吸引力設置得弱一些。

13．權利要求12所述的襯底保持裝置，其特征是：與上述襯底載置時比較，至少在上述襯底加工時，把上述氣體的吸引力設定得弱一些。

14．權利要求12所述的襯底保持裝置，其特征是：設置在把上述襯底從上述多個支持部分上邊取下來時向上述圓環狀的突部的內側吹氣體的氣體供給部分。

15．一種用曝光光束通過第1物體使第2物體曝光的曝光裝置，具備權利要求1所述的襯底保持裝置，并借助于該襯底保持裝置，保持作為上述襯底的上述第2物體。