[發明專利]自旋閥磁電阻頭的制造方法

無效

• 申請號: 01111296.4
• 申請日: 1997-01-10
• 公開（公告）號: CN1343969A
• 公開（公告）日: 2002-04-10
• 發明（設計）人: 大塚善德;溝下義文;越川譽生
• 申請（專利權）人: 富士通株式會社
• 主分類號: G11B5/39
• 分類號: G11B5/39
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 杜日新

1.一種制造自旋閥磁電阻頭的方法，包括步驟：

在底基層上順序形成第一反鐵磁層、第一磁化釘扎層、第一非磁性中間層和第一磁化自由層；

在所述的第一磁化自由層上形成非磁性絕緣層；

在所述的非磁性絕緣層上順序形成第二磁化自由層、第二非磁性中間層、第二磁化釘扎層和第二反鐵磁層；和

對所述的第一反鐵磁層、所述的第一磁化釘扎層、所述的第一非磁性中間層、所述的第一磁化自由層、所述的非磁性絕緣層、所述的第二磁化自由層、所述的第二非磁性中間層、所述的第二磁化釘扎層和所述的反鐵磁層制作圖形；

從而由所述的第一反鐵磁層到所述的第一磁化自由層組成第一自旋閥器件而所述的第二磁化自由層到所述的第二反鐵磁層組成第二自旋閥器件。

2.根據權利要求1所述的制造自旋閥磁電阻頭的方法，其中所述的第一反鐵磁層和所述的第二反鐵磁層中的至少一層是用導電材料形成。

3.根據權利要求1所述的制造自旋閥磁電阻頭的方法，包括另外的步驟：

在第一方向上施加磁場和并以第一溫度加熱，在真空狀態中形成所述的第一磁化釘扎層和所述的第一反鐵磁層；和

在不同于所述的第一方向的第二方向上施加磁場并以比所述的第一溫度低的第二溫度加熱，用具有比所述的第一反鐵磁層的材料的阻塞溫度低的阻塞溫度的材料制成所述的第二磁化釘扎層和所述的第二反鐵磁層。

4.根據權利要求1所述的制造自旋閥磁電阻頭的方法，包括另外的步驟：

在形成所述的第一磁化自由層、所述的第一非磁性中間層和所述的第一磁化釘扎層以后，以第一溫度并在第一方向上施加磁場進行熱處理，以磁化所述的第一磁化釘扎層；和

在形成所述的第二磁化自由層、所述的第二非磁性中間層和所述的第二磁化釘扎層以后，以低于所述的第一溫度的第二溫度并在不同于所述的第一方向的第二方向上施加磁場進行熱處理以磁化所述的第二磁化釘扎層。

5.根據權利要求1所述的制造自旋閥磁電阻頭的方法，包括在用具有高阻塞溫度的第一材料形成所述的第一反鐵磁層和用具有低阻塞溫度的第二材料形成所述的第二反鐵磁層以后的另外步驟：

在第一方向上施加第一磁場并以第一溫度加熱形成的結構，以產生第一反鐵磁層的交換耦合；和

在不同于所述的第一方向的第二方向上施加第二磁場并以低于所述的第一溫度的第二溫度加熱所形成的結構，以產生第二反鐵磁層的交換耦合。

6.根據權利要求1所述的制造自旋閥磁電阻頭的方法，其中用第一硬磁層取代所述的第一反鐵磁層而用第二硬磁層取代所述的第二反鐵磁層。

7.根據權利要求6所述的制造自旋閥磁電阻頭的方法，其中用矯頑磁力比所述的第二硬磁層的材料的矯頑磁力高的材料制成所述的第一硬磁層，并用比磁化所述的第二硬磁層所使用的磁場弱的磁場磁化所述的第一硬磁層。

8.一種制造自旋閥磁電阻頭的方法，包括步驟：

順序形成第一磁化自由層、第一非磁性中間層、第一磁化釘扎層和第一反鐵磁層；

在所述的第一反鐵磁層上形成非磁性絕緣層；

在所述的非磁性絕緣層上順序形成第二反鐵磁層、第二磁化釘扎層、第二非磁性中間層和第二磁化自由層；和

對所述的第一磁化自由層、所述的第一非磁性中間層、所述的第一磁化釘扎層、所述的第一反鐵磁層、所述的非磁性絕緣層、所述的第二反鐵磁層、所述的第二磁化釘扎層、所述的第二非磁性中間層和所述的第二磁化自由層制作圖形；

由此所述的第一磁化自由層到所述的第一反鐵磁層組成第一自旋閥器件而所述的第二反鐵磁層到所述的第二磁化自由層組成第二自旋閥器件。

9.根據權利要求8所述的制造自旋閥磁電阻頭的方法，其中所述的第一反鐵磁層和所述的第二反鐵磁層中的至少一層是用導電材料制成。

10.根據權利要求8所述的制造自旋閥磁電阻頭的方法，包括另外的步驟：

在第一方向上施加磁場并以第一溫度加熱，在真空狀態中形成所述的第一磁化釘扎層和所述的第一反鐵磁層；和

在不同于所述的第一方向的第二方向上施加磁場并以比所述的第一溫度低的第二溫度加熱，用阻塞溫度比所述的第一反鐵磁層的材料的阻塞溫度低的材料制成所述的第二磁化釘扎層和所述的第二反鐵磁層。