[發(fā)明專利]薄膜形成器件,形成薄膜的方法和自發(fā)光器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 01110972.6
• 申請日: 2001-03-06
• 公開（公告）號: CN1312584A
• 公開（公告）日: 2001-09-12
• 發(fā)明（設計）人: 山崎舜平;廣木正明;石丸典子
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L33/00;H05B33/10
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 陳霽,張志醒

1．一種用于形成薄膜的方法，包括以下步驟：

提供其內裝有EL材料的船形試樣器皿，其上具有電極的襯底和在船形試樣器皿與襯底之間的掩模，

使在所述船形試樣器皿中的EL材料成為蒸汽狀態(tài)，

使所述呈蒸汽狀態(tài)的EL材料從船形試樣器皿中朝向襯底排出，以及

使所述呈蒸汽狀態(tài)的EL材料通過對應于所述電極的掩模的開口，從而使EL材料淀積在所述襯底上的電極上，并形成薄膜。

2．如權利要求1所述的用于形成薄膜的方法，其中對所述掩模施加電壓。

3．如權利要求1所述的用于形成薄膜的方法，其中當在船形試樣器皿中的EL材料成為蒸汽狀態(tài)并所述呈蒸汽狀態(tài)的EL材料從船形試樣器皿朝向襯底被排出時，所述呈蒸汽狀態(tài)的EL材料被充電。

4．如權利要求1所述的用于形成薄膜的方法，其中在所述掩模中的開口是阻擋部分的間隙。

5．如權利要求1所述的用于形成薄膜的方法，其中具有多個掩模，并對多個掩模中的各個掩模施加不同的電壓。

6．如權利要求1所述的用于形成薄膜的方法，其中所述電極是像素電極。

7．如權利要求1所述的用于形成薄膜的方法，其中所述EL材料是低分子量材料。

8．如權利要求1所述的用于形成薄膜的方法，其中所述薄膜的厚度是10nm到10微米。

9．如權利要求1所述的用于形成薄膜的方法，其中所述掩模是由導電材料制成的導線，由所述導線形成的網狀結構，由導電材料制成的板狀結構，或者相互平行排列的多個導線。

10．一種使用如權利要求1所述的方法制造的自發(fā)光器件。

11．一種薄膜形成裝置，包括：

其中裝有EL材料的船形試樣器皿；

用于使在所述船形試樣器皿中的EL材料成為蒸汽狀態(tài)的裝置；

其上具有電極的襯底；

在所述船形試樣器皿和所述襯底之間的掩模；

以及

對所述掩模施加電壓的裝置。

12．如權利要求11所述的薄膜形成裝置，其中呈蒸汽狀態(tài)的EL材料的行進方向或淀積位置通過對掩模施加電壓進行控制。

13．如權利要求11所述的薄膜形成裝置，還包括用于對所述呈蒸汽狀態(tài)的EL材料充電的裝置。

14．如權利要求11所述的薄膜形成裝置，還包括被提供在襯底和掩模之間的另一個掩模，并對所述另一個掩模施加一個和被施加于所述掩模的電壓不同的電壓。

15．一種用于形成薄膜的方法，包括以下步驟：

提供其內裝有EL材料的船形試樣器皿，其上具有電極的襯底和在船形試樣器皿與襯底之間的掩模，

使在所述船形試樣器皿中的EL材料成為蒸汽狀態(tài)，

使所述呈蒸汽狀態(tài)的EL材料從船形試樣器皿中朝向襯底排出，

使所述呈蒸汽狀態(tài)的EL材料通過對應于所述電極的掩模的開口，從而使所述EL材料淀積在所述襯底上的電極上，并形成薄膜，以及

其中對所述掩模施加電壓。

16．一種用于形成薄膜的方法，包括以下步驟：

提供其內裝有EL材料的船形試樣器皿，其上具有電極的襯底和在船形試樣器皿與襯底之間的掩模，

使在所述船形試樣器皿中的EL材料成為蒸汽狀態(tài)，

使所述呈蒸汽狀態(tài)的EL材料從船形試樣器皿中朝向襯底排出，

使所述呈蒸汽狀態(tài)的EL材料通過對應于所述電極的掩模的開口，從而使所述EL材料淀積在所述襯底上的電極上，并形成薄膜，以及

其中對所述呈蒸汽狀態(tài)的EL材料充電。

17．一種薄膜形成裝置，包括：

其中裝有EL材料的船形試樣器皿；

用于使在所述船形試樣器皿中的EL材料成為蒸汽狀態(tài)的裝置；

其上具有電極的襯底；

在所述船形試樣器皿和所述襯底之間的掩模；

對所述掩模施加電壓的裝置；以及

用于對所述呈蒸汽狀態(tài)的EL材料充電的裝置。