[發明專利]可容許高電壓的輸出/輸入端口及靜電放電保護電路

無效

• 申請號: 01110716.2
• 申請日: 2001-04-13
• 公開（公告）號: CN1381885A
• 公開（公告）日: 2002-11-27
• 發明（設計）人: 陳偉梵;李淑娟;俞大立;林錫聰
• 申請（專利權）人: 華邦電子股份有限公司
• 主分類號: H01L23/00
• 分類號: H01L23/00;H01L27/02
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司
• 代理人: 程偉

1.一種可容許高電壓的輸出入端口，耦合于一集成電路的一接合墊，其特征在于：包含有：

一分壓電路，耦合于該接合墊，且依據該接合墊上的電壓以產生一

較該接合墊上的電壓小的參考電壓；以及

一開關電路，其包含有一控制柵極，該控制柵極是依據該參考電壓

控制該開關電路的開關。

2.如權利要求1所述的輸出/輸入端口，其特征在于：該開關電路為一互補式金氧半晶體管的反向器，該反向器由一p型金氧半晶體管和一n型金氧半晶體管所構成，而該控制柵極為n型金氧半晶體管的柵極。

3.如權利要求1所述的輸出/輸入端口，其特征在于：該分壓電路所產生的參考電壓不可超過該集成電路的使用電壓值。

4.如權利要求1所述的輸出/輸入端口，其特征在于：該分壓電路是以多個二極管由該接合墊順向串接至一電源端口所構成，而該參考電壓為這些二極管中的一個串接點的電壓。

5.如權利要求4所述的輸出/輸入端口，其特征在于：每一二極管為一pn結二極管、金氧半二極管以及蕭基二極管其中之一者。

6.如權利要求1所述的輸出/輸入端口，其特征在于：該分壓電路是以多個二極管由該接合墊順向串接后，再經一電阻耦合至一電源端口所構成，而該參考電壓為該多個二極管與該電阻的串接點電壓。

7.如權利要求1所述的輸出/輸入端口，其特征在于：該分壓電路是以二電阻由該接合墊串接至一電源端口所構成，而該參考電壓為該二電阻的串接點電壓。

8.如權利要求1所述的輸出/輸入端口，其特征在于：該分壓電路是以多個二極管由該接合墊順向串接后，再串接一電流源至一電源端口所構成，而該參考電壓為這些二極管與該電流源的串接點電壓。

9.如權利要求8所述的輸出/輸入端口，其特征在于：該電流源為一金氧半晶體管，該金氧半晶體管的一源/漏極是連接于這些串接的二極管的一端，而該金氧半晶體管的另一源/漏極是連接于該電源端口，且該金氧半晶體管是偏壓于次啟始區域。

10.如權利要求1所述的輸出/輸入端口，其特征在于：該分壓電路是以二電容由該接合墊串接至一電源端口所構成，而該參考電壓為該二電容中的串接點電壓。

11.如權利要求10所述的輸出/輸入端口，其特征在于：每一這些電容是以一逆向的二極管所構成。

12.一種可容許高電壓的靜電放電保護電路，耦合于一集成電路的一接合墊，其特征在于：包含有：

一分壓電路，耦合于該接合墊，且依據該接合墊上的電壓以產生一

較該接合墊上的電壓小的參考電壓；以及

一半導體控制整流器，耦合于該接合墊，其包含有一第一n型金氧

半晶體管，該第一n型金氧半晶體管的柵極是依據該參考電壓以觸

發該半導體控制整流器而達靜電放電的目的。

13.如權利要求12所述的靜電放電保護電路，其特征在于：該半導體控制整流器包含有：

一p型基底；

一n型井區，設于該p型基底內，且形成一pn接口，其中該第一

n型金氧半晶體管是設于該p型基底中，且該第一n型金氧半晶體

管的一源/漏極是設于該pn接口上；

一p型摻雜區，設于該n型井區內；

一n型接觸區，設于該n型井區內，該n型接觸區與該p型摻雜區

是耦合于該接合墊；

一n型摻雜區，設于該p型基底內；??

一p型接觸區，設于該p型基底內，該p型接觸區與該n型摻雜區

是耦合于一電源端口；以及

一與該第一n型金氧半晶體管串接的第二n型金氧半晶體管，設于

該n型摻雜區與該第一n型金氧半晶體管之間的p型基底表面，而

該第二n型金氧半晶體管的柵極與一源/漏極是耦合于該n型摻雜

區。

14.如權利要求12所述的靜電放電保護電路，其特征在于：該分壓電路所產生的參考電壓不可超過該集成電路的使用電壓值。

15.如權利要求12所述的靜電放電保護電路，其特征在于：該分壓電路是以多個二極管由該接合墊順向串接至一電源端口所構成，而該參考電壓為這些二極管中的一個串接點的電壓。