[發明專利]高效率光電元件及其形成方法無效
| 申請號: | 01110422.8 | 申請日: | 2001-04-04 |
| 公開(公告)號: | CN1378293A | 公開(公告)日: | 2002-11-06 |
| 發明(設計)人: | 林明德;王冠儒;蔡長達;許榮貴 | 申請(專利權)人: | 光磊科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L33/00 | 分類號: | H01L33/00 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 | 代理人: | 劉領弟 |
| 地址: | 臺灣省*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 高效率 光電 元件 及其 形成 方法 | ||
1、一種高效率光電元件,它包括晶粒承載座及復數光電元件晶粒;光電元件晶粒設有第一電極及以導線與導線架電性連接的第二電極;其特征在于所述的晶粒承載座形成數個凸出部;于各凸出部頂面形成固晶面。
2、根據權利要求1所述的高效率光電元件,其特征在于所述的復數個發光二電極體晶粒與晶粒承載座復數個凸出部側外包覆進一步將發光二電極體晶粒固定于晶粒承載座的凸出部頂面的透明固定膠。
3、根據權利要求1所述的高效率光電元件,其特征在于所述的晶粒承載座各凸出部側表面鍍設具有高反射系數的藉以將入射光改變為反射光的光反射層。
4、根據權利要求1所述的高效率光電元件,其特征在于所述的光電元件晶粒為發光二極體晶粒、P型-本質-N型光二電極體晶粒、雪崩式光二電極體晶粒、金屬-半導體-金屬檢光元件晶粒、金屬-氧化層-半導體場效電晶體元件或金屬-氧化層-半導體場效電晶體元件。
5、根據權利要求1所述的高效率光電元件,其特征在于所述的光電元件晶粒第一電極以銀膠與固晶面連線。
6、根據權利要求1所述的高效率光電元件,其特征在于所述的光電元件晶粒第一電極以導電膠與固晶面連線。
7、根據權利要求1所述的高效率光電元件,其特征在于所述的光電元件晶粒第一電極以共晶結合方式與固晶面連線。
8、根據權利要求1所述的高效率光電元件,其特征在于所述的晶粒承載座包括基座及固定于基座上的復數個半導體座;各半導體座形成頂面設置固晶面凸出部。
9、根據權利要求8所述的高效率光電元件,其特征在于所述的晶粒承載座各半導體座凸出部側表面鍍設具有高反射系數藉以將入射光改變為反射光的光反射層。
10、根據權利要求8所述的高效率光電元件,其特征在于所述的光電元件晶粒的第一電極以金屬材料與固晶面連線。
11、根據權利要求10所述的高效率光電元件,其特征在于所述的作為光電元件晶粒第一電極與固晶面連線的金屬材料為錫金合金、鉛錫合金、鉛銦合金、鉛錫銀合金、矽金合金、鍺金合金、鈹金合金、銦錫合金、銦銀合金、錫銀合金、錫銀鉍合金、金鍺鎳合金或銦等金屬材料。
12、根據權利要求1所述的高效率光電元件,其特征在于所述的固晶面兩對應的結合面為對稱圖形。
13、根據權利要求1所述的高效率光電元件,其特征在于所述的固晶面兩對應的結合面為非對稱圖形。
14、一種高效率光電元件形成方法,其特征在于它包括如下步驟:
成型晶粒承載座
????于晶粒承載座成型復數個頂面形成固晶面的凸出部;
固定光電元件晶粒
????以各光電元件晶粒的第一電極將光電元件晶粒固定于晶粒承載座各凸出部頂面的固晶面;
電性連接
????以各光電元件晶粒的第二電極與另一極性的電性連接裝置電性連接。
15、根據權利要求14所述的高效率光電元件形成方法,其特征在于所述的成型的晶粒承載座包括基座及固定于基座上的復數個半導體座;各半導體座形成頂面設置固晶面凸出部。
16、根據權利要求15所述的高效率光電元件形成方法,其特征在于所述的成型晶粒承載座后,晶粒承載座各半導體座凸出部側表面鍍設具有高反射系數藉以將入射光改變為反射光的光反射層。
17、根據權利要求14所述的高效率光電元件形成方法,其特征在于所述的電性連接裝置為導線架。
18、根據權利要求14所述的高效率光電元件形成方法,其特征在于所述的電性連接裝置為PC板。
19、根據權利要求14所述的高效率光電元件形成方法,其特征在于所述的為金屬座。
20、根據權利要求14所述的高效率光電元件形成方法,其特征在于所述的電性連接前于復數個光電元件晶粒與晶粒承載座復數個凸出部側外包覆進一步將發光二電極體晶粒固定于晶粒承載座的凸出部頂面的透明固定膠。
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