[發(fā)明專利]墊高源/漏極區(qū)的半導(dǎo)體組件制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 01110417.1
• 申請(qǐng)日: 2001-04-03
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN1378253A
• 公開(kāi)（公告）日: 2002-11-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳怡曦
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 華邦電子股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/336
• 分類號(hào): H01L21/336;H01L21/334
• 代理公司: 北京紀(jì)凱知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 程偉

1.一種墊高源/漏極區(qū)的組件制造方法，其特征是：包括下列步驟：

設(shè)一墊高用硅材料層于一基板上，并且置于待形成的半導(dǎo)體組件的源/漏極區(qū)；

于該墊高用硅材料層和暴露的該基板上，設(shè)一柵極介電質(zhì)層；

于該柵極介電質(zhì)層上，設(shè)一柵極電極層；

蝕刻該柵極電極層，于待形成的半導(dǎo)體組件的柵極區(qū)上形成一柵極結(jié)構(gòu)；

對(duì)該墊高用硅材料層和該基板，進(jìn)行輕摻雜布植；

于該柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)邊，設(shè)邊墻間隔物；以及

對(duì)該墊高用硅材料層和該基板，進(jìn)行重?fù)诫s布植。

2.如權(quán)利要求1所述的墊高源/漏極區(qū)的組件制造方法，其特征是：其中該墊高用硅材料層是為多晶硅所構(gòu)成，其厚度是由后續(xù)的金層硅化制造中使用的金層材料量和反應(yīng)條件所決定。

3.如權(quán)利要求1所述的墊高源/漏極區(qū)的組件制造方法，其特征是：其中設(shè)該墊高用硅材料層的步驟更包括下列步驟：

設(shè)一犧牲介電質(zhì)層于該基板上；

利用光蝕刻工藝，蝕刻該犧牲介電質(zhì)層為一柵極掩膜，用覆蓋待形成的半導(dǎo)體組件的柵極區(qū)；

于該柵極罩掩膜和該基板上，設(shè)一硅材料層；

去除該硅材料層置于該柵極的上方和外圍的部分，用以形成該墊高用硅材料層于源/漏極區(qū)；以及

去除該柵極掩膜。

4.如權(quán)利要求3所述的墊高源/漏極區(qū)的組件制造方法，其特征是：其中去除部分的該硅材料層的步驟中，是利用柵極光罩為掩膜的方式完成。

5.如權(quán)利要求3所述的墊高源/漏極區(qū)的組件制造方法，其特征是：其中去除部分的該硅材料層的步驟中，是利用化學(xué)機(jī)械式研磨方式達(dá)成。

6.如權(quán)利要求3所述的墊高源/漏極區(qū)的組件制造方法，其特征是：其中該硅材料層是為多晶硅所構(gòu)成，其厚度是由后續(xù)的金層硅化工藝中使用的金層材料量和反應(yīng)條件所決定。

7.如權(quán)利要求1所述的墊高源/漏極區(qū)的組件制造方法，其特征是：其中設(shè)該墊高用硅材料層的步驟更包括下列步驟：

設(shè)一硅材料層于該基板上；

設(shè)一介電質(zhì)層于該硅材料層上；

根據(jù)一柵極光罩和使用光蝕刻，蝕刻該介電質(zhì)層在待形成的半導(dǎo)體組件的柵極區(qū)的部分，借以暴露出該硅材料層；

熱氧化該硅材料層中暴露的部分，形成一熱氧化物層；以及

去除該熱氧化層和該介電質(zhì)層的殘余部分。

8.如權(quán)利要求7所述的墊高源/漏極區(qū)的組件制造方法，其特征是：其中該墊高用硅材料層是為多晶硅所構(gòu)成，其厚度是由后續(xù)的金層硅化工藝中使用的金層材料量和反應(yīng)條件所決定。

9.如權(quán)利要求1所述的墊高源/漏極區(qū)的組件制造方法，其特征是：其中該柵極介電質(zhì)層于該墊高用硅材料層之上的部分，是于形成該柵極結(jié)構(gòu)的步驟中一并去除。

10.如權(quán)利要求1所述的墊高源/漏極區(qū)的組件制造方法，其特征是：其中該柵極介電質(zhì)層于該墊高用硅材料層之上的部分，是于形成該邊墻間隔物的步驟中一并去除。

11.一種墊高源/漏極區(qū)的組件制造方法，其特征是：漏極包括下列步驟：

設(shè)一墊高用硅材料層于一基板上，并且置于待形成的半導(dǎo)體組件的源/漏極區(qū)；

于待形成的半導(dǎo)體組件的柵極區(qū)上，設(shè)該半導(dǎo)體組件的一柵極結(jié)構(gòu)，該墊高用硅材料層和該柵極結(jié)構(gòu)中的電極為隔離狀態(tài)；以及

布植該墊高用硅材料層和該基板于待形成的半導(dǎo)體組件的源/漏極區(qū)，以形成該半導(dǎo)體組件的源/漏極；

借此，該墊高用硅材料層在后續(xù)的金層硅化制造中，可用以與一金屬材料層反應(yīng)，于該半導(dǎo)體組件的源/漏極上形成自動(dòng)對(duì)應(yīng)金層硅化物區(qū)。

12.如權(quán)利要求11所述的墊高源/漏極區(qū)的組件制造方法，其特征是：其中該墊高用硅材料層是為多晶硅所構(gòu)成，其厚度是由后續(xù)的金層硅化工藝中使用的金層材料量和反應(yīng)條件所決定。