[發明專利]具有可靠電連接的半導體器件

無效

• 申請號: 01110114.8
• 申請日: 2001-03-26
• 公開（公告）號: CN1320958A
• 公開（公告）日: 2001-11-07
• 發明（設計）人: 池上五郎;飯塚榮太;堀田弘文
• 申請（專利權）人: 日本電氣株式會社
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L21/607
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 穆德駿,方挺

1．一種制造半導體器件的方法，包括：

制備具有多個凸出電極的半導體芯片；

制備具有多個焊盤電極的布線襯底；

在所述布線襯底上，涂敷其中分散了無機填料的液體樹脂材料；

通過所述樹脂材料，使所述半導體芯片與所述布線襯底相向配置，通過將所述凸出電極疊壓到所述焊盤電極上，電連接所述凸出電極和所述焊盤電極，在振動所述凸出電極附近的所述樹脂材料并從所述凸出電極和所述焊盤電極之間的重疊交界部分排除所述無機填料的同時，使所述凸出電極和所述焊盤電極電連接；以及

固化所述樹脂材料以粘接所述半導體芯片和所述布線襯底。

2．如權利要求1所述的制造半導體器件的方法，其特征在于，每個所述凸出電極的端部的橫截面積越向末端越小。

3．如權利要求1所述的制造半導體器件的方法，其特征在于，通過對所述半導體芯片或所述布線襯底施加超聲波振動，振動所述凸出電極附近的所述樹脂材料。

4．如權利要求3所述的制造半導體器件的方法，其特征在于，在通過所述樹脂材料使所述半導體芯片與所述布線襯底的進行所述相向布置時，通過將所述凸出電極疊壓到所述焊盤電極上，電連接所述凸出電極和所述焊盤電極，所述凸出電極被壓到所述焊盤電極上，使得所述凸出電極彈性變形，在所述凸出電極彈性變形的條件下開始施加所述超聲波振動。

5．如權利要求4所述的制造半導體器件的方法，其特征在于，通過在所述凸出電極彈性變形的條件下開始所述施加所述超聲波振動，使每個所述凸出電極與相應的所述焊盤電極的接觸面積迅速擴大。

6．如權利要求3所述的制造半導體器件的方法，其特征在于，所述超聲波振動的輸出是每個凸出電極20-100mW。

7．如權利要求3所述的制造半導體器件的方法，其特征在于，所述超聲波振動的施加時間是0.1-5秒。

8．如權利要求3所述的制造半導體器件的方法，其特征在于，用超聲波焊接方法來焊接所述凸出電極和所述焊盤電極。

9．如權利要求1所述的制造半導體器件的方法，其特征在于，在通過所述樹脂材料使所述半導體芯片與所述布線襯底相向布置時，在通過將所述凸出電極疊壓到所述焊盤電極上，來電連接所述凸出電極和所述焊盤電極的過程中，當加熱所述半導體芯片時，通過將所述凸出電極壓到所述焊盤電極上，使所述凸出電極和所述焊盤電極熱壓接合。

10．如權利要求1所述的制造半導體器件的方法，其特征在于，在振動所述凸出電極附近的所述樹脂材料之前，加熱所述樹脂材料，以便降低所述樹脂材料的粘度。

11．如權利要求1所述的制造半導體器件的方法，其特征在于，所述無機填料包括微細的氧化鋁或氧化硅粉末。

12．一種半導體器件，包括：

具有多個焊盤電極的布線襯底；

具有多個凸出電極并與所述布線襯底相對的半導體芯片，所述半導體芯片的所述凸出電極分別與所述布線襯底的所述焊盤電極電連接；以及

填充所述半導體芯片和所述布線襯底并且粘接所述半導體芯片和所述布線襯底的樹脂材料部分，所述樹脂材料包含分散在其中的無機填料；

其特征在于，在所述凸出電極和所述焊盤電極之間的重疊交界部分中幾乎不存在所述無機填料，在所述樹脂材料中，所述無機填料分散度在所述重疊交界部分附近和周圍比在其它部分更大。

13．一種制造半導體器件的方法，包括：

制備具有多個凸出電極的半導體芯片；

制備具有多個焊盤電極的布線襯底；

在所述布線襯底上，涂敷其中分散了無機填料的液體樹脂材料；

通過所述樹脂材料，使所述半導體芯片與所述布線襯底相對，將所述凸出電極疊壓到所述焊盤電極上，將所述凸出電極壓到所述焊盤電極上使得所述凸出電極彈性變形；

在所述凸出電極被壓到所述焊盤電極上，使得所述凸出電極彈性變形的條件下，對所述半導體芯片和/或所述布線襯底施加超聲波振動，電連接所述凸出電極和所述焊盤電極；以及

固化所述樹脂材料以粘接所述半導體芯片和所述布線襯底。

14．如權利要求13所述的制造半導體器件的方法，其特征在于，每個所述凸出電極的端部的橫截面積越向末端越小。