[發明專利]可獲得納米柵的高電子遷移率晶體管制作方法

無效

• 申請號: 01109455.9
• 申請日: 2001-03-13
• 公開（公告）號: CN1374687A
• 公開（公告）日: 2002-10-16
• 發明（設計）人: 劉訓春;張龍海;王潤梅;李無瑕;羅明雄;吳德馨
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子中心
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 湯保平

1、一種可獲得納米柵的高電子遷移率晶體管制作方法，其細柵槽的形成是由淀積絕緣層，制作光刻膠犧牲層，利用蒸發或濺射薄膜并隨后反腐蝕減薄該膜，再用等離子體刻蝕犧牲層邊沿根部狹縫下面的材料等工序而形成；然后套刻寬柵并腐蝕柵槽中的N⁺帽層，蒸發柵金屬并剝離而制成砷化鎵或磷化銦或高電子遷移率晶體管器件或場效應晶體管器件；其特征在于，其步驟如下：

步驟1、首先在砷化鎵或磷化銦晶體管或場效應晶體管、或高電子遷移率晶體管片上光刻有源島區，然后，在隔離區注入質子或氧、硼離子實現器件間的隔離，或通過腐蝕去除島外的隔離區的導電層的方法實現器件隔離；

步驟2、以常規方法形成源漏金屬，并合金；

步驟3、淀積絕緣層；

步驟4、光刻出柵犧牲層；

步驟5、濺射或蒸發形成膜；

步驟6、減薄腐蝕膜；

步驟7、等離子體刻蝕絕緣層絕緣材料形成柵槽；

步驟8、去除柵犧牲層和膜，并光刻腐蝕出源漏孔，然后涂膠，常規光刻形成寬柵窗口，套刻在柵槽上；

步驟9、腐蝕窗口中柵槽下面的N⁺區；

步驟10、蒸發柵金屬，并剝離，完成器件制作。

2、根據權利要求1所述的可獲得納米柵的高電子遷移率晶體管制作方法，其特征在于，其中所述絕緣層為二氧化硅薄膜或二氧化硅加聚乙酰亞胺復合薄膜。

3、根據權利要求1所述的可獲得納米柵的高電子遷移率晶體管制作方法，其特征在于，其中所述柵犧牲層為光刻膠圖形。

4、根據權利要求1所述的可獲得納米柵的高電子遷移率晶體管制作方法，其特征在于，其中所述濺射或蒸發的膜為鋁、鎳或硅。

5、根據權利要求1所述的可獲得納米柵的高電子遷移率晶體管制作方法，其特征在于，其中膜的減薄是用稀釋的磷酸腐蝕或等離子體刻蝕完成的。

6、根據權利要求1所述的可獲得納米柵的高電子遷移率晶體管制作方法，其特征在于，其中柵槽是以膜為掩膜，采用氧等離子體刻蝕聚乙酰亞胺，并以等離子體和三氟甲烷等離子體刻蝕二氧化硅而獲得。