[發明專利]將高阻值P型摻雜薄膜活化成低阻值P型摻雜薄膜的制造方法

無效

• 申請號: 01109031.6
• 申請日: 2001-02-27
• 公開（公告）號: CN1372305A
• 公開（公告）日: 2002-10-02
• 發明（設計）人: 曾堅信;蔡文忠;賴韋忠;陳聰育
• 申請（專利權）人: 連威磊晶科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/324
• 分類號: H01L21/324;H01L21/477;H01L21/205;H01L33/00;H01S5/00
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司
• 代理人: 劉朝華

1、一種將高阻值P型摻雜薄膜活化成低阻值P型摻雜薄膜的制造方法，其特征在于：它包括如下步驟：

提供第一P型摻雜的III族金屬氮化物或II-VI族化合物半導體薄膜；

以特定升溫速率，加熱所述第一P型摻雜的III族金屬氮化物或II-VI族化合物半導體薄膜，使溫度由初始溫度快速上升到第一特定溫度；

以特定降溫速率，使溫度由所述第一特定溫度快速降到第二特定溫度，所述第一P型摻雜III族金屬氮化物或II-VI族化合物半導體薄膜被活化成第二P型摻雜的III族金屬氮化物或II-VI族化合物半導體薄膜；

進行持續降溫操作，使溫度回到所述初始溫度；其中，在溫度變化過程中，溫度大于所述第二特定溫度的時間不大于1分鐘；所述第二P型摻雜的III族金屬氮化物或II-VI族化合物半導體薄膜的阻值低于所述第一P型摻雜的III族金屬氮化物或II-VI族化合物半導體薄膜。

2、如權利要求1所述的制造方法，其特征在于：該升溫速率大于50℃/sec。

3、如權利要求1所述的制造方法，其特征在于：該所述降溫速率大于20℃/sec。

4、如權利要求1所述的制造方法，其特征在于：該第二特定溫度為400℃。

5、如權利要求1所述的制造方法，其特征在于：該第一特定溫度大于或等于850℃。

6、如權利要求1所述的制造方法，其特征在于：該溫度上升到所述第一特定溫度后，立即以所述特定降溫速度進行降溫，不進行持溫操作。

7、如權利要求1所述的制造方法，其特征在于：該持續降溫操作，使用所述降溫速率、或其它的降溫速率進行。

8、如權利要求1所述的制造方法，其特征在于：該第一P型摻雜的III族金屬氮化物或II-VI族化合物半導體薄膜是使用有機金屬化學氣相沉積法、分子束磊晶成長或是鹵化物化學氣相沉積制造而得。

9、如權利要求1所述的制造方法，其特征在于：該第一P型摻雜的III族金屬氮化物薄膜的材質選自氮化鎵、氮化銦鎵、氮化鋁鎵或氮化鋁鎵銦。

10、如權利要求1所述的制造方法，其特征在于：該第一P型摻雜的III族金屬氮化物薄膜的P型雜質選自鈹、鎂、鈣、鋇、鎘或鋅元素中的至少一種。

11、一種將高阻值P型摻雜薄膜活化成低阻值P型摻雜薄膜的制造方法，其特征在于：它包括如下步驟：

提供第一P型摻雜的III族金屬氮化物或II-VI族化合物半導體薄膜；

以特定升溫速率，加熱所述第一P型摻雜的III族金屬氮化物或II-VI族化合物半導體薄膜，使溫度由初始溫度快速上升到第一特定溫度；

在特定的持溫時間內，使溫度保持該第一特定溫度；

以特定降溫速率，使溫度由所述第一特定溫度快速降到第二特定溫度，所述第一P型摻雜III族金屬氮化物或II-VI族化合物半導體薄膜被活化成第二P型摻雜的III族金屬氮化物或II-VI族化合物半導體薄膜；

進行持續降溫操作，使溫度回到所述初始溫度；

其中，在溫度變化過程中，溫度大于所述第二特定溫度的時間不大于1分鐘；所述第二P型摻雜的III族金屬氮化物或II-VI族化合物半導體薄膜的阻值低于所述第一P型摻雜的III族金屬氮化物或II-VI族化合物半導體薄膜阻值。

12、如權利要求11所述的制造方法，其特征在于：該升溫速率大于50℃/sec。

13、如權利要求11所述的制造方法，其特征在于：該降溫速率大于20℃/sec。

14、如權利要求11所述的制造方法，其特征在于：該第二特定溫度為400℃。

15、如權利要求11所述的制造方法，其特征在于：該第一特定溫度大于或等于850℃。

16、如權利要求11所述的制造方法，其特征在于：該持溫時間不大于25秒。

17、如權利要求11所述的制造方法，其特征在于：該持續降溫操作，使用所述降溫速率或其它的降溫速率進行。